Новости

Компания STMicroelectronics разработала новое семейство MOSFET с быстрым восстановлением, сочетающим улучшенные коммутационные характеристики со сниженным на 18% по отношению к существующим устройствам последовательным сопротивлением для удовлетворения потребностей экономичных приложений, включая контроллеры с возобновляемой энергией.

Первым устройством в новом семействе Super-Junction FDmesh II является STW55NM60ND - N-канальный MOSFET на напряжение 600 В в стандартном корпусе TO-247, претендующий на лучшее в отрасли значение сопротивления в прямом направлении (60 мОм) для MOSFET с быстрым восстановлением. Пиковый ток стока величиной 51 A позволяет одному MOSFET заменить множество компонент в преобразователях, имеющих жесткие ограничения по габаритам, типа систем связи и серверов.
Все это, в сочетании с преимуществами в решении тепловых проблем за счет снижения потерь, позволяет существенно поднять плотность мощности. Для улучшения характеристик ST модифицировал архитектуру своего FDmesh super-junction путем объединения вертикальной конструкции MOSFET с типовой полосковой структурой, имеющей, к тому же, более устойчивый к внешним воздействиям и наибольшее быстродействие встроенный диод. Благодаря минимизации емкости, заряда и входного сопротивления затвора кроме уменьшения величин прямого сопротивления и времени восстановления повысилась частота переключения транзистора и снизилась мощность возбуждения.
Для обеспечения большей надежности в момент переключения приборы получили более высокое быстродействие в условиях низкой нагрузки, особенно в мостовых топологиях с переключением при нулевом напряжении (ZVS). Будущие приборы с такой топологией будут иметь дополнительные варианты корпусов и значений тока в сочетании с наилучшими значениями прямого сопротивления, обеспечивающими минимальное время восстановления MOSFET для каждого вида корпуса.
В ближайшее время появится STP30NM60ND в корпусе TO-220, рассчитанный на ток стока 25 A при значении прямого сопротивления 130 мОм, а также STD11NM60ND в корпусе DPAK для поверхностного монтажа для токов до 10 A при значении прямого сопротивления 45 мОм.
ST планирует введение дополнительных приборов в серию FDmesh II, с целью повышения интервала рабочих напряжений и токов для приборов в стандартных промышленных корпусах.

Дополнительную информацию по MOSFET транзисторам можно найти на сайте производителя

MOSFET транзисторы можно заказать в офисе СЭА Электроникс, тел.: (044) 296-24-00.

  Категории новостей