IGBT полумостовые модули
IGBT полумосты серии MII или инверторы MITA, MIAA, MUBW по технологии Trench
или NPT обладают низким напряжением насыщения Vce, малыми потерями при переключении,
высокую выносливость при перегрузках по току, положительный температурный
коэффициент по напряжению насыщения для легкого спараллеливания, содержат обратновключенные
диоды с мягким восстановлением и изолированную подложку.
|
Тип
|
Vces
(В)
|
IC25
Tc=25°C
(A) |
IC80
Tc=80°C
(A) |
VCE(sat) Tj=25°C
(В) |
Eoff Tj=125°C (mJ) |
RthJC
(K/Вт) |
Корпус
|
|
MITA15WB1200TMH |
1200 |
30 |
21 |
1.8 |
1.2 |
1.1 |
MiniPack 2 |
|
MII100-12A3 |
1200 |
135 |
90 |
2.2 |
10.5 |
0.22 |
Y4-M5 |
|
MII145-12A3 |
1200 |
160 |
110 |
2.2 |
15 |
0.18 |
Y4-M5 |
|
MII150-12A4 |
1200 |
180 |
120 |
2.2 |
11.5 |
0.17 |
Y3-DCB |
|
MII200-12A4 |
1200 |
270 |
180 |
2.2 |
21 |
0.11 |
Y3-DCB |
|
MII300-12E4 |
1200 |
280 |
200 |
2.2 |
20 |
0.11 |
Y3-Li |
|
MII300-12A4 |
1200 |
330 |
220 |
2.2 |
29 |
0.09 |
Y3-DCB |
|
MII400-12E4 |
1200 |
420 |
300 |
2.2 |
30 |
0.08 |
Y3-Li |
|
English | Карта сайта | В избранное
Склад СЭА [ zip]
Ixys Semiconductor GmbH
