Vishay Semiconductor

рис.1 Чертеж корпуса DFM

рис.2 Чертеж корпуса DFS

DF005MA

50

1(30)

1,1

15

DFM

DF02M

200

1(50)

1,1

15

DFM

DF06SA

600

1(30)

1,1

15

DFS

DF01MA

100

1(30)

1,1

15

DFM

DF04M

400

1(50)

1,1

15

DFM

DF08SA

800

1(30)

1,1

15

DFS

DF02MA

200

1(30)

1,1

15

DFM

DF06M

600

1(50)

1,1

15

DFM

DF10SA

1000

1(30)

1,1

15

DFS

DF04MA

400

1(30)

1,1

15

DFM

DF08M

800

1(50)

1,1

15

DFM

DF005S

50

1(50)

1,1

15

DFS

DF06MA

600

1(30)

1,1

15

DFM

DF10M

1000

1(50)

1,1

15

DFM

DF01S

100

1(50)

1,1

15

DFS

DF08MA

800

1(30)

1,1

15

DFM

DF005SA

50

1(30)

1,1

15

DFS

DF02S

200

1(50)

1,1

15

DFS

DF10MA

1000

1(30)

1,1

15

DFM

DF01SA

100

1(30)

1,1

15

DFS

DF04S

400

1(50)

1,1

15

DFS

DF005M

50

1(50)

1,1

15

DFM

DF02SA

200

1(30)

1,1

15

DFS

DF06S

600

1(50)

1,1

15

DFS

DF01M

100

1(50)

1,1

15

DFM

DF04SA

400

1(30)

1,1

15

DFS

DF08S

800

1(50)

1,1

15

DFS

Сокращения: Uo-обратн. напряж. In-прямой ток Un -прямое напряж. R-теплопроводн.

DF10S

1000

1(50)

1,1

15

DFS

рис.3 Чертеж корпуса GBPC1

рис.4 Чертеж корпуса GBPC-W

GBPC1005

50

3(60)

1, 0

8

GBPC1

GBPC12005SA

50

1 2(200)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC25005SA

50

25(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC101

100

3(60)

1 ,0

8

GBPC1

GBPC1201SA

100

1 2(200)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC2501SA

100

25(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC102

200

3(60)

1 ,0

8

GBPC1

GBPC1202SA

200

1 2(200)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC2502SA

200

25(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC104

400

3(60)

1 ,0

8

GBPC1

GBPC1204SA

400

1 2(200

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC2504SA

400

25(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC106

600

3(60)

1 ,0

8

GBPC1

GBPC1206SA

600

1 2(200

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC2506SA

600

25(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC108

800

3(60)

1 ,0

8

GBPC1

GBPC1208SA

800

1 2(200

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC2508SA

800

25(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC110

1000

3(60)

1 ,0

8

GBPC1

GBPC1210SA

1000

1 2(200

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC2510SA

1000

25(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC6005

50

6(175)

1 ,0

7,3

GBPC1

GBPC15005SA

50

1 5(300

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC35005SA

50

35(400

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC601

100

6(175)

1 ,0

7,3

GBPC1

GBPC1501SA

100

15(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC3501SA

100

35(400

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC602

200

6(175)

1 ,0

7,3

GBPC1

GBPC1502SA

200

15(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC3502SA

200

35(400

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC604

400

6(175)

1 ,0

7,3

GBPC1

GBPC1504SA

400

15(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC3504SA

400

35(400

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC606

600

6(175)

1 ,0

7,3

GBPC1

GBPC1506SA

600

15(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC3506SA

600

35(400

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC608

800

6(175)

1 ,0

7,3

GBPC1

GBPC1508SA

800

15(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC3508SA

800

35(400)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC610

1000

6(175)

1 ,0

7,3

GBPC1

GBPC1510SA

1000

15(300)

1,1

1,4

GBPC-W

GBPC3510SA

1000

35(400)

1,1

1,4

GBPC-W

рис.5 Чертеж корпуса KBU

Параметры диодных мостов серии KBU6 приведены в табл.3, где Uo - максималь­ное обратное напряжение, In - максималь­ный прямой ток (в скобках импульсный), Un - максимальное прямое падение напря­жения, R - термическое сопротивление. Диапазон рабочих температур от -55 до +150°С.

Табл.3 Параметры диодных мостов серии KBU6.