× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

Нітрид вуглецю, вирощений у двомірний напівпровідник

  • 13.08.2019
  • 30

Берлінські дослідники створили двомірний напівпровідник з незвичайною властивістю — його провідність краще (в 65 разів) перпендикулярно площинам, аніж уздовж ним — на противагу графену.

Назвали його графітовим нітридом вуглецю на основі триазина (TGCN). Створили його фахівці з університету Гумбольта і Гельмгольц-Центр Берлін, котрі вважають, що він повинен відмінно підійти для застосування в оптоелектроніці, оскільки його заборонена зона становить 1.7 еВ.

Атоми вуглецю і азоту цього матеріалу утворюють гексагональні стільники, схожі на графенові, і можуть вирощуватися на кварцевій підкладці у вигляді коричневої плівки.

Нітрид вуглецю

Фізик Берлінського Гельмгольц-Центру доктор Крістоф Мершянн виявив перенесення носіїв заряду в матеріалі за допомогою вимірювань поглинання в діапазоні часу від фемтосекунд до наносекунд.

"Носії заряду не виходять з шестикутних сот триазина горизонтально, а замість цього переміщаються по діагоналі до наступного шестикутника триазина в сусідній площині", — сказав він. "Вони рухаються по трубчастим каналам через кристалічну структуру".

Однак, цей механізм недостатній для підтвердження такої високої провідності, і в даний час проводяться додаткові експерименти. Команда уже розробила модель поведінки переносу заряду, засновану на спостережуваній динаміці носіїв заряду і моделюванні випадкового блукання.

"Наші комбіновані методи відкривають шлях до перенесення власного заряду в залежному від напрямку шаруватому напівпровіднику для застосувань в польових транзисторах і датчиках", йдеться в доповіді, опублікованій в журналі Angewandte Chemie "Спрямоване перенесення заряду в шаруватому двовимірному графітовому нітриді вуглецю на основі триазина", в якому описується ця робота.

У журналі розміщена тільки коротка витримка цього документа, однак додаткова інформація цілком доступна публіці та містить таблицю, що порівнює характеристики багатьох двомірних матеріалів, включаючи графен і TGCN.

Характеристики TGCN:

  • провідність в площині: 1.6 × 10 - 6 См/м
  • заплощинна провідність: 1.0 × 10 - 4 См/м
  • рухливість: 0.8 - 2.4 См/м
  • заборонена зона: 1.4 - 2.0 eВ

Тим часом, провідність графена становить 102 - 103 См/м, а рухливість вище 15000 См/м.

 

Компанія СЕА з 1990 року займається оптовою торгівлею на ринку України електронних компонентів для промислових підприємств. У програму поставок входять як пасивні компоненти (резистори, конденсатори, індуктивності, варистори, кварцові резонатори, розрядники, роз'єми, запобіжники, комутаційні вироби) так і активні компоненти (мікросхеми, транзистори, діоди, діодні мости, світлодіоди, рідкокристалічні індикатори, оптоприлади, запобіжники, датчики). Наша фірма здійснює поставки як від великих світових дистриб'юторів електронних компонентів, так і безпосередньо від виробників.

 

Компании СЭА - 25 лет!

Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію про електронні компоненти та інші товари, купити електронні компоненти в Україні, зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 291-00-41 або по e-mail: info@sea.com.ua.


Top