Технические характеристики:
- Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
- Вид монтажа: SMD/SMT
- Полярность транзистора: NPN
- Конфигурация: Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 45 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора: 0.5 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 100 MHz
- Минимальная рабочая температура: - 65 C
- Максимальная рабочая температура: + 150 C
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 250 at 100 mA at 1 V
- Высота: 1 mm
- Длина: 3 mm
- Ширина: 1.4 mm a
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 250 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V
- Pd - рассеивание мощности: 250 mW
- Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors
Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.
