Компания СЭА
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех. поддержка

-30 В -3 А (SOT-23) [3000 шт.]

-30 В -3 А (SOT-23) [3000 шт.]
Производитель: Infineon Technologies
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

МОП-транзисторы IRLML5203TRPBF с индуцированным каналом, обладают напряжением -30 В и током -3 А:

  • одноканальные с электроповодностью p-типа;
  • упакованы в модифицированный SOT-23-3 (TO-236AB) — Micro3TM;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (не содержат свинца).

Благодаря доработкам дизайна стандартного корпуса SOT-23 разработан один с наименьших по площади в промышленности корпус Micro3:

  • идеален для применений с акцентом на наиболее эффективное использование пространства печатной платы;
  • низкая высота устройств делает возможной установку на платы портативной электроники и карт PCMCIA.
  • Каналы
    • единый, три вывода
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — -30 В
    • температурный коэффициент (пробоя) — -19 мВ/°C
    • затвор-исток — ±20 В и -1/-2.5 В (порог включения)
    • прямое падение на диоде — -1.2 В
  • Ток (макс.)
    • непрерывный стока (при 25/70 °C) и диода — -3/-2.4 А и -1.3 А
    • импульсный стока и диода — -24 А
    • утечки стока (при 25/70 °C) и затвор-исток — -1/-5 мкА и ±100 нА
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 3.1 См
  • Рассеивание мощности (при 25/70 °C)
    • 1.25/0.8 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 10 мВт/°C
  • Сопротивление (макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток -10/-4.5 В) — 98/165 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 100 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная — 510 пкФ
    • выходная — 71 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 43 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвора — 9.5/14 нКл
    • затвор-исток — 2.3/3.5 нКл
    • затвор-сток — 1.6/2.4 нКл
    • восстановления диода — 12/18 нКл
  • Время
    • задержки включения и выключения — 12/88 нс
    • нарастания и спада импульса — 18/52 нс
    • обратного восстановления диода (тип./макс.) — 17/26 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 3.04 мм
    • ширина — 2.64 мм
    • высота — 1.12 мм
Top