Компания СЭА
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех. поддержка

30 В 3.9 А (SOT-223)

30 В 3.9 А (SOT-223)
Производитель:
Нет на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

МОП-транзисторы IRLL2703TRPBF с индуцированным каналом обладают напряжением 30 В и током 3.9 А, входят в серию IRLL2703:

  • одноканальные с электроповодностью n-типа;
  • упакованы в SOT-223 (TO-261AA) — монтаж проводится на поверхность платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Уникальный дизайн корпуса SOT-223 обеспечивает простоту автоматического монтажа, как и у других корпусов SOT или SOIC, но дополнительным преимуществом являются улучшенные термальные характеристики благодаря увеличенному теплоотводу. Для типичных применений возможен уровень рассеивания мощности более 1 Вт.

  • Каналы
    • единый, три вывода
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — 30 В
    • температурный коэффициент (пробоя) — 60 мВ/°C
    • затвор-исток — ±16 В и 1/2.4 В (порог включения)
    • предельная скорость нарастания на стоке — 5 В/нс
    • прямое падение на диоде — 1 В
  • Ток (макс.)
    • непрерывный стока (при 25/70 °C) и диода — 3.9/3.1 А и 3.9 А
    • непрерывный стока (на 1'' медной плате) — 5.5 А
    • импульсный и прерывания — 16 А и 3.9 А
    • утечки стока (при 30/24 В) и затвора — 25/250 мкА и ±100 нА
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 5.9 См
  • Мощность
    • рассеивание (тип./при монтаже на медную плату площадью 1 дюйм) — 1/2.1 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 8.3 мВт/°C
  • Энергия импульсов на стоке (макс.)
    • единичные — 180 мДж
    • повторяющиеся — 100 мкДж
  • Сопротивление
    • сток-исток открытого канала (при 4/5/10 В) — 70/60/45 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда (тип./макс.) — 90/120 °C/Вт
    • термальное кристалл-окружающая среда (тип. на 1'' медной плате/макс.) — 50/60 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная/выходная — 530/230 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 95 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвор — 9.3/14 нКл
    • затвор-исток — 2.3/3.4 нКл
    • затвор-сток — 5.1/7.6 нКл
    • восстановления диода — 62/94 нКл
  • Время
    • задержки включения/выключения — 7.4/6.9 нс
    • нарастания/спада импульса — 24/14 нс
    • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 42/63 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 6.7 мм
    • ширина — 3.7 мм
    • высота — 1.8 мм
Top