500 В 2.5 А (TO-220)

Третье поколение дискретных полупроводников Power MOSFET производства Vishay является лучшей комбинацией быстрого переключения, прочной конструкции, низких сопротивления и себестоимости. Корпус TO-220AB стал универсальным для всех коммерческих промышленных применений с уровнем рассеивания мощности примерно до 50 Вт и низким термальным сопротивлением.

МОП-транзисторы SiHF820-E3 (IRF820PBF) с индуцированным каналом обладают напряжением 500 В и током 2.5 А, входят в серию IRF820/SiHF820:

• одноканальные с электроповодностью n-типа, предназначены для выводного монтажа;
• выполнены с кремния, упакованы в TO-220AB;
• отвечают требованиям RoHS (модели с примечанием E3/PbF не содержат свинца).