Компания СЭА
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех. поддержка

500 В 8.7 А (TO-220)

500 В 8.7 А (TO-220)
Производитель:
Нет на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

Третье поколение дискретных полупроводников Power MOSFET производства Vishay является лучшей комбинацией быстрого переключения, прочной конструкции, низких сопротивления и себестоимости. Корпус TO-220AB стал универсальным для всех коммерческих промышленных применений с уровнем рассеивания мощности примерно до 50 Вт и низким термальным сопротивлением.

МОП-транзисторы SiHF840B-E3 (IRF840BPBF) с индуцированным каналом обладают напряжением 500 В и током 8.7 А, входят в серию IRF840B/SiHF840B:

  • одноканальные с электроповодностью n-типа, предназначены для выводного монтажа;
  • выполнены с кремния, упакованы в TO-220AB;
  • отвечают требованиям RoHS (модели с примечанием E3/PbF не содержат свинца).

Сферы использования включают:

  • бытовую электронику (ЖК дисплеи);
  • импульсные источники питания (для серверов, систем телекоммуникаций);
  • промышленность (сварка, индукционное отопление, моторные приводы);
  • зарядные устройства.
  • Каналы
    • единый, три вывода
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — 500 В
    • температурный коэффициент (пробоя) — 0.58 В/°C
    • затвор-исток — ±30 В и 3-5 В (порог включения)
    • предельная скорость нарастания на стоке — 24 В/нс
    • прямое падение на диоде — 1.2 В
  • Ток (макс.)
    • стока непрерывный (при 25/100 °C) и импульсный — 8.7/5.5 А и 18 А
    • диода непрерывный, импульсный и обратного восстановления — 8 А, 32 А и 11 А
    • утечки сток-исток (при 500/400 В) и затвора — 1/10 мкА и ±100 нА
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 3 См
  • Рассеивание мощности
    • 156 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 1.25 Вт/°C
  • Энергия единичных импульсов на стоке (макс.) — 29 мДж
  • Сопротивление
    • сток-исток открытого канала (тип./макс.) — 0.7/0.85 Ом
    • на затворе — 1.8 Ом
    • термальное кристалл-окружающая среда и кристалл-корпус — 62 °C/Вт и 0.8 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная — 527 пкФ
    • выходная (при напряжении сток-исток 100 В) и эффективная (зависимость от энергии/времени) — 52 пкФ и 46/64 пкф
    • реверсная (затвор-сток) — 8 пкФ
  • Заряд
    • затвор (ном./макс.) — 15/30 нКл
    • затвор-исток/затвор-сток — 4/7 нКл
    • обратного восстановления диода — 1.8 мкКл
  • Время (тип./макс.)
    • задержки включения и выключения — 13/26 нс и 17/34 нс
    • нарастания и спада импульса — 16/32 нс и 11/22 нс
    • обратного восстановления диода — 308 нс
  • Индуктивность сток/исток — 4.5/7.5 нГн
  • Температура
    • рабочая и хранения — от -55 до +150 °C
    • при пайке (макс.) — +300 °C
  • Размеры
    • длина — 10.52 мм
    • ширина — 15.85 мм
    • высота — 4.65 мм
Top