Компания СЭА
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех. поддержка

-55 В -11 А (TO-252)

-55 В -11 А (TO-252)
Производитель:
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

МОП-транзисторы IRFR9024NTRPBF с индуцированным каналом обладают напряжением -55 В и током -11 А, входят в серию IRFR/U9024N:

  • одноканальные с электроповодностью p-типа, предназначены для монтажа на поверхность печатной платы;
  • выполнены с кремния, упакованы в DPAK (TO-252-3);
  • не содержат свинца (модели с примечанием PbF), отвечают требованиям RoHS.

Корпус DPAK разработан для поверхностного монтажа с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки. Уровень рассеивания мощности достигает 1.5 Вт (типичные применения).

  • Каналы
    • единый, три вывода
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — -55 В
    • температурный коэффициент (пробоя) — -50 мВ/°C
    • затвор-исток — ±20 В и -2/-4 В (порог включения)
    • предельная скорость нарастания на стоке — -10 В/нс
    • прямое падение на диоде — -1.6 В
  • Ток (макс.)
    • непрерывный стока (при 25/100 °C) и диода — -11/-8 А и -11 А
    • импульсный и прерывания — -44 А и -6.6 А
    • утечки сток-исток (при -55/-44 В) и затвора — -25/-250 мкА и ±100 нА
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 2.5 См
  • Рассеивание мощности
    • 38 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 300 мВт/°C
  • Энергия импульсов на стоке (макс.)
    • единичные — 62 мДж
    • повторяющиеся — 3.8 мДж
  • Сопротивление
    • сток-исток открытого канала — 175 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда (тип./на 1'' плате) — 110 °C/Вт и 50 °C/Вт
    • термальное кристалл-корпус — 3.3 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная/выходная — 350/170 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 92 пкФ
  • Заряд
    • затвор — 19 нКл
    • затвор-исток/>затвор-сток — 5.1/10 нКл
    • восстановления диода (тип./макс.) — 84/130 нКл
  • Время
    • задержки включения/выключения — 13/23 нс
    • нарастания/спада импульса — 55/37 нс
    • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 47/71 нс
  • Индуктивность сток/исток — 4.5/7.5 нГн
  • Температура
    • рабочая и хранения — от -55 до +150 °C
    • при пайке (макс.) — +300 °C
  • Размеры
    • длина — 6.73 мм
    • ширина — 6.22 мм
    • высота — 2.38 мм
Top