Поиск

Поставка
Собственное производство
Услуги
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка
Каталог товаров
Статьи
Новости
Створено крихітний унікальний резонатор, здатний генерувати відразу кілька частот
  • 18.07.2019
  • 39
Обновленное дистрибьюторское соглашение с DEGSON
  • 16.07.2019
  • 32
Органічний транзистор з вертикальним електролізером
  • 15.07.2019
  • 40
Все новости направления

Видео-обзоры продукции

Видеообзор: Прозрачные электролюминесцентные дисплеи TASEL
Клеммы SolderRight™ от Molex: низкопрофильное решение для соединений "провод-плата" под прямым углом
Все видео-обзоры

20 В 2.4 А/-20 В -1.7 А (Micro8)

20 В 2.4 А/-20 В -1.7 А (Micro8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7507TRPBF с индуцированными каналами обладают током 2.4 А и -1.7 А, напряжением ±205 В, входят в серию IRF7507:

  • двойные, с электроповодностью n-типа и p-типа;
  • упакованы в миниатюрный промышленный корпус Micro8, предназначены для монтажа на поверхность печатной платы;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • Micro8 является наименьшим по площади среди корпусов структуры SOIC (равен половине SO-8), что делает его идеальным для применений с акцентом на наиболее эффективное использование пространства печатной платы;
  • низкая высота устройств делает возможной установку на платы портативной электроники и карт PCMCIA.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа и p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — ±20 В
    • затвор-исток — ±12 В и ±0.7 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя (канал n/p) — 41 мВ/°C и -12 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке — ±5 В/нс
    • прямое падение на диоде — ±1.2 В
  • Ток (канал n/p)
    • непрерывный стока и диода — 2.4/-1.7 А и ±1.25 А
    • непрерывный стока (при 70 °C) — 1.9/-1.4 А
    • импульсный стока и диода — 19/-14 А
    • утечки сток-исток и затвора — ±1 мкА и ±100 нА
    • утечки сток-исток (при 125 °C) — ±25 мкА
  • Крутизна характеристики прямой передачи (канал n/p) — 2.6/1.3 См
  • Рассеивание мощности
    • 1.25 Вт и 800 мВт
    • линейный коэффициент снижения — 10 мВт/°C
  • Сопротивление (тип./макс.)
    • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при напряжении затвор-исток ±4.5 В) — 85/140 мОм и 170/270 мОм
    • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при ±2.7 В) — 120/200 мОм и 280/400 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 100 °C/Вт
  • Ёмкость (канал n/p)
    • входная — 260/240 пкФ
    • выходная — 130 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 61/64 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвор (канал n и p) — 5.3/8 нКл и 5.4/8.2 нКл
    • затвор-исток (n и p) — 0.84/1.3 нКл и 0.96/1.4 нКл
    • затвор-сток (n и p) — 2.2/3.3 нКл и 2.4/3.6 нКл
    • восстановления диода (n и p) — 37/56 нКл и 63/95 нКл
  • Время (канал n/p)
    • задержки включения и выключения — 5.7/9.1 нс и 15/38 нс
    • нарастания и спада импульса — 24/35 нс и 16/43 нс
    • обратного восстановления диода — 39/52 нс
    • обратного восстановления диода (макс.) — 59/78 нс
  • Температура
    • рабочая и хранения — от -55 до +150 °C
    • при пайке (макс.) — +240 °C
  • Размеры
    • длина — 3.05 мм
    • ширина — 3,05 мм
    • высота — 1.11 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top