× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

-20 В -4.3 А (SO-8)

-20 В -4.3 А (SO-8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7304PBF с индуцированными каналами обладают напряжением -20 В и током -4.3 А, входят в серию IRF7304:

  • двойные, с электроповодностью p-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — -20 В
    • затвор-исток — ±12 В и -0.7 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя — -12 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке — -5 В/нс
    • прямое падение на диоде — -1 В
  • Ток (макс.)
    • стока непрерывный (при 25/70 °C) и импульсный — -4.3/-3.4 А и -17 А
    • утечки сток-исток (при 25/125 °C) и затвора — -1/-25 мкА и ±100 нА
    • диода непрерывный и импульсный — -2.5 А и -17 А
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 4 См
  • Рассеивание мощности
    • 2 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
  • Сопротивление (макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток -4.5/-2.7 В) — 90/140 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная/выходная — 610/310 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 170 пкФ
  • Заряд
    • затвор — 22 нКл
    • затвор-исток/затвор-сток — 3.3/9 нКл
    • восстановления диода (ном./макс.) — 71/110 нКл
  • Время
    • задержки включения/выключения — 8.4/51 нс
    • нарастания/спада импульса — 26/33 нс
    • обратного восстановления диода — 56/84 нс
  • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top