× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

25 В 3.5 А/-25 В -2.3 А (SO-8)

25 В 3.5 А/-25 В -2.3 А (SO-8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7105TRPBF с индуцированными каналами обладают током 3.5 А и -2.3 А, напряжением ±25 В, входят в серию IRF7105:

  • двойные, с электроповодностью n-типа и p-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа и p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — ±25 В
    • затвор-исток — ±12 В и ±1/±3 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя (канал n/p) — 30 мВ/°C и -15 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке — ±3 В/нс
    • прямое падение на диоде — ±1.2 В
  • Ток (канал n/p)
    • непрерывный стока и диода — 3.5/-2.3 А и ±2 А
    • непрерывный стока (при 70 °C) — 2.8/-1.8 А
    • импульсный стока и диода — 14/-10 А и 14/-9.2 А
    • утечки сток-исток и затвора — ±2 мкА и ±100 нА
    • утечки сток-исток (при 55 °C) — ±25 мкА
  • Крутизна характеристики прямой передачи (канал n/p) — 4.3/3.1 См
  • Рассеивание мощности
    • 2 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
  • Сопротивление (тип./макс.)
    • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при напряжении затвор-исток ±10 В) — 83/100 мОм и 160/250 мОм
    • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при ±4.5 В) — 140/160 мОм и 300/400 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
  • Ёмкость (канал n/p)
    • входная — 330/290 пкФ
    • выходная — 250/210 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 61/67 пкФ
  • Заряд (канал n/p)
    • затвор (ном.) — 9.4/10 нКл
    • затвор (макс.) — 27/25 нКл
    • затвор-исток — 1.7/1.9 нКл
    • затвор-сток — 3.1/2.8 нКл
    • восстановления диода (ном.) — 41/90 нКл
    • восстановления диода (макс.) — 78/180 нКл
  • Время (тип./макс.)
    • задержки включения и выключения (канал n) — 7/20 нс и 45/90 нс
    • нарастания и спада импульса (канал n) — 9/20 нс и 25/50 нс
    • обратного восстановления диода (канал n) — 36/54 нс
    • задержки включения и выключения (канал p) — 12/40 нс и 45/90 нс
    • нарастания и спада импульса (канал p) — 13/40 нс и 37/50 нс
    • обратного восстановления диода (канал p) — 69/100 нс
  • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top