× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

30 В 6.5 А/-30 В -4.9 А (SO-8)

30 В 6.5 А/-30 В -4.9 А (SO-8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7319PBF с индуцированными каналами обладают током 6.5 А и -4.9 А, напряжением ±30 В, входят в серию IRF7319:

  • двойные, с электроповодностью n-типа и p-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа и p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — ±30 В
    • затвор-исток — ±20 В и ±1 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя — ±22 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке — ±5 В/нс
    • прямое падение на диоде (тип./макс.) — ±0.78/±1 В
  • Ток (канал n/p)
    • непрерывный стока и диода — 6.5/-4.9 А и ±2.5 А
    • непрерывный стока (при 70 °C) — 5.2/-3.9 А
    • импульсный стока и диода — ±30 А
    • прерывания — 4/-2.8 А
    • утечки сток-исток и затвора — ±1 мкА и ±100 нА
    • утечки сток-исток (при 55 °C) — ±25 мкА
  • Крутизна характеристики прямой передачи (канал n/p) — 14/7.7 См
  • Рассеивание мощности (при 25/70 °C) — 2/1.3 Вт
  • Энергия импульсов на стоке (канал n/p)
    • единичные — 82/140 мДж
    • повторяющиеся — 200 мкДж
  • Сопротивление (тип./макс.)
    • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при напряжении затвор-исток ±10 В) — 23/29 мОм и 42/58 мОм
    • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при ±4.5 В) — 32/46 мОм и 76/98 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
  • Ёмкость (канал n/p)
    • входная — 650/710 пкФ
    • выходная — 320/380 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 130/180 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвор (канал n и p) — 22/33 нКл и 23/34 нКл
    • затвор-исток (n и p) — 2.6/3.9 нКл и 3.8/5.7 нКл
    • затвор-сток (n и p) — 6.4/9.6 нКл и 5.9/8.9 нКл
    • восстановления диода (n и p) — 58/87 нКл и 42/63 нКл
  • Время (тип./макс.)
    • задержки включения и выключения (канал n) — 8.1/12 нс и 26/39 нс
    • задержки включения и выключения (канал p) — 13/19 нс и 34/51 нс
    • нарастания и спада импульса (канал n) — 8.9/13 нс и 17/26 нс
    • нарастания и спада импульса (канал p) — 13/20 нс и 32/48 нс
    • обратного восстановления диода (канал n) — 45/68 нс
    • обратного восстановления диода (канал p) — 44/66 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top