× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

-55 В -3.4 А (SO-8)

-55 В -3.4 А (SO-8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7342TRPBF с индуцированными каналами обладают напряжением -55 В и током -3.4 А, входят в серию IRF7342:

  • двойные, с электроповодностью p-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — -55 В
    • затвор-исток — ±20 В и -1 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя — -54 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке — -5 В/нс
    • прямое падение на диоде — -1.2 В
  • Ток (макс.)
    • стока непрерывный (при 25/70 °C) и импульсный — -3.4/-2.7 А и -27 А
    • утечки сток-исток (при 25/55 °C) и затвора — -2/-25 мкА и ±100 нА
    • диода непрерывный и импульсный — -2 А и -37 А
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 3.3 См
  • Рассеивание мощности (при 25/70 °C)
    • 2/1.3 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
  • Сопротивление (тип./макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток -10 В) — 95/105 мОм
    • сток-исток открытого канала (при -4.5 В) — 150/170 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная/выходная — 690/210 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 86 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвор — 26/38 нКл
    • затвор-исток и затвор-сток — 3/4.5 нКл и 8.4/13 нКл
    • восстановления диода — 85/130 нКл
  • Время (тип./макс.)
    • задержки включения и выключения — 14/22 нс и 43/64 нс
    • нарастания и спада импульса — 10/15 нс и 22/32 нс
    • обратного восстановления диода — 54/80 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top