× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

55 В 4.7 А/-55 В -3.4 А (SO-8)

55 В 4.7 А/-55 В -3.4 А (SO-8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7343PBF с индуцированными каналами обладают током 4.7 А и -3.4 А, напряжением ±55 В, входят в серию IRF7343:

  • двойные, с электроповодностью n-типа и p-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа и p-типа
  • Напряжение (канал n/p)
    • сток-исток — ±55 В
    • затвор-исток — ±20 В и ±1 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя — 59/-54 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке — ±5 В/нс
    • прямое падение на диоде (тип. и макс.) — 700/-800 мВ и ±1.2 В
  • Ток (канал n/p)
    • непрерывный стока и диода — 4.7/-3.4 А и ±2 А
    • непрерывный стока (при 70 °C) — 3.8/-2.7 А
    • импульсный стока и диода — 38/-27 А
    • прерывания — 4.7/-3.4 А
    • утечки сток-исток и затвора — ±2 мкА и ±100 нА
    • утечки сток-исток (при 55 °C) — ±25 мкА
  • Крутизна характеристики прямой передачи (канал n/p) — 7.9/3.3 См
  • Рассеивание мощности (при 25/70 °C) — 2/1.3 Вт
  • Энергия импульсов на стоке (канал n/p)
    • единичные — 72/114 мДж
    • повторяющиеся — 200 мкДж
  • Сопротивление (тип./макс.)
    • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при напряжении затвор-исток ±10 В) — 43/50 мОм и 95/105 мОм
    • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при ±4.5 В) — 56/65 мОм и 150/170 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
  • Ёмкость (канал n/p)
    • входная — 740/690 пкФ
    • выходная — 190/210 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 71/86 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвор (канал n и p) — 24/36 нКл и 26/38 нКл
    • затвор-исток (n и p) — 2.3/3.4 нКл и 3/4.5 нКл
    • затвор-сток (n и p) — 7/10 нКл и 8.4/13 нКл
    • восстановления диода (n и p) — 120/170 нКл и 85/130 нКл
  • Время (тип./макс.)
    • задержки включения и выключения (канал n) — 8.3/12 нс и 32/48 нс
    • задержки включения и выключения (канал p) — 14/22 нс и 43/64 нс
    • нарастания и спада импульса (канал n) — 3.2/4.8 нс и 13/20 нс
    • нарастания и спада импульса (канал p) — 10/15 нс и 22/32 нс
    • обратного восстановления диода (канал n) — 60/90 нс
    • обратного восстановления диода (канал p) — 54/80 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top