МОП-транзисторы IRF7341QTRPbF с индуцированными каналами обладают напряжением 55 В и током 5.1 А, входят в серию IRF7341Q:
- двойные, с электроповодностью n-типа;
- упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
- предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
- соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).
Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:
- уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
- уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
