Компанія СЕА
× Компанія Каталог Новини Вакансії Профіль Виробники Контакти Доставка Тех. Підтримка

-20 В -5.6 А (SOT-23-6) [3000 шт.]

-20 В -5.6 А (SOT-23-6) [3000 шт.]
Виробник:
Немає на складі
Вартість з ПДВ:
Ціна за запитом

Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.

МОП-транзистори IRLMS6802TRPBF з індукованим каналом, мають напругу -20 В і струм -5.6 А:

  • одноканальні з електропровідністю p-типу;
  • призначені для поверхневого монтажу, упаковані у модифікований SOT-23-6L - Micro6 TM (TSOP-6);
  • відповідають вимогам директиви RoHS (не містять свинцю).

Корпус Micro6 ідеальний для застосування з акцентом на найбільш ефективне використання простору друкованої плати, а в порівнянні зі стандартним SOT-23:

  • має на 60% менший опір стsк-витік в активному стані;
  • витримує струми більше 300%.
  • Канали
    • єдиний, 6 виводів
    • режим - збагачення
  • Напівпровідникова провідність (полярність) - p-типу
  • Напруга
    • сток-витік - -20 В
    • температурний коефіцієнт (пробою) - -5 мВ/°C
    • затвор-витік - ±12 В і -0.6/-1.2 В (поріг включення)
    • пряме падіння на діоді -1.2 В
  • Струм (макс.)
    • безперервний стоку (при 25/70 °C) та діода - -5.6/-4.5 А та -2 А
    • імпульсний стоку та діода - -45 А
    • витоку стоку (при 25/125 °C) і затвор-витік - -1/-25 мкА і ±100 нА
  • Крутизна характеристики прямої передачі - 1.5
  • Розсіювання потужності (25/70 °C)
    • 2/1.3 Вт
    • лінійний коефіцієнт зниження - 16 мВт/°C
  • Енергія одиничних імпульсів на стоку (макс.) - 31 мДж
  • Опір (макс.)
    • стік-витік відкритого каналу (при напрузі затвор-витік -4.5/-2.5 В) - 50/100 мОм
    • термальне кристал-довкілля - 62.5 °C / Вт
  • Ємність
    • вхідна - 1.079 нФ
    • вихідна - 220 пкФ
    • реверсна (затвор-сток) - 152 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвора - 11/16 нКл
    • затвор-витік - 2.2/3.3 нКл
    • затвор-стік - 2.9/4.3 нКл
    • відновлення діода - 45/67 нКл
  • Час
    • затримки включення та вимикання - 12/70 нс
    • наростання та спаду імпульсу - 33/72 нс
    • зворотного відновлення діода (тип./макс.) - 74/110 нс
  • Температура (робоча та зберігання) - від -55 до +150 °C
  • Розміри (макс.)
    • довжина - 3 мм
    • ширина - 3 мм
    • висота - 1.45 мм
Top