Компания СЭА
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех. поддержка

IGB30N60H3

IGB30N60H3
Производитель: Infineon Technologies
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

Біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT) 600v Hi-Speed ​​SW IGBT

Технічні характеристики:

  • Виробник: Infineon
  • Категорія товару: біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
  • Технологія: Si
  • Вид монтажу: SMD/SMT
  • Конфігурація: Single
  • Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 600 V
  • Напруга насичення колектор-емітер: 1.95 V
  • Максимальна напруга затвор-емітер: 20 V
  • Безперервний колекторний струм при 25 C: 60 A
  • Pd - розсіювання потужності: 187 W
  • Мінімальна робоча температура: - 40 C
  • Максимальна робоча температура: + 175 C
  • Струм витоку затвор-емітер: 100 nA

 

Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, модулів та електронних радіодеталях, купити електронні компоненти в Україні зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88 або на e-mail: info@sea.com.ua.

Top