Мощные полевые MOSFET-транзисторы и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT-транзисторы) являются базовыми элементами современной силовой электроники и используются в качестве элементов коммутации больших токов и напряжений. Однако для согласования низковольтных логических управляющих сигналов с уровнями управления затвора MOSFET- и IGBT-транзисторов требуются промежуточные устройства согласования – высоковольтные драйверы.
В большинстве случаев используется следующая классификация высоковольтных драйверов:
Купить микросхемы драйверов MOSFET/IGBT и для получения дополнительной информации свяжитесь с Компанией СЭА по телефону в Киеве +38 (044) 330-00-88 или по электронной почте info@sea.com.ua.
Написать отзыв