Компания СЭА
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех. поддержка

30 В 5.3 А (SOT-23) [3000 шт.]

30 В 5.3 А (SOT-23) [3000 шт.]
Производитель:
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

pdf

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

МОП-транзисторы IRLML0030TRPBF с индуцированным каналом, обладают напряжением 30 В и током 5.3 А:

  • одноканальные с электроповодностью n-типа;
  • упакованы в модифицированный SOT-23-3 (TO-236AB) — Micro3TM;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (не содержат свинца, бромида и галогена);
  • квалифицированны согласно MSL1.

Благодаря доработкам дизайна стандартного корпуса SOT-23 разработан один с наименьших по площади в промышленности корпус Micro3:

  • идеален для применений с акцентом на наиболее эффективное использование пространства печатной платы;
  • низкая высота устройств делает возможной установку на платы портативной электроники и карт PCMCIA.
  • Каналы
    • единый, три вывода
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — 30 В
    • температурный коэффициент (пробоя) — 20 мВ/°C
    • затвор-исток — ±20 В и 1.3/2.3 В (порог включения)
    • прямое падение на диоде — 1 В
  • Ток (макс.)
    • непрерывный стока (при 25/70 °C) и диода — 5.3/4.3 А и 1.6 А
    • импульсный стока и диода — 21 А
    • утечки стока (при 25/125 °C) и затвор-исток — 1/150 мкА и ±100 нА
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 9.5 См
  • Рассеивание мощности (при 25/70 °C)
    • 1.3/0.8 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 10 мВт/°C
  • Сопротивление (тип./макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток 10 В) — 22/27 мОм
    • сток-исток открытого канала (при 4.5 В) — 33/40 мОм
    • на затворе — 2.3 Ом
    • термальное кристалл-окружающая среда — 100 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная — 382 пкФ
    • выходная — 84 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 39 пкФ
  • Заряд
    • затвора — 2.6 нКл
    • затвор-исток — 800 пкКл
    • затвор-сток — 1.1 нКл
    • восстановления диода (тип./макс.) — 4/6 нКл
  • Время
    • задержки включения и выключения — 5.2/7.4 нс
    • нарастания и спада импульса — 4.4 нс
    • обратного восстановления диода (тип./макс.) — 11/17 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 3.04 мм
    • ширина — 2.64 мм
    • высота — 1.12 мм
Top