Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка
Каталог

    -20 В -2.3 А (SO-8)

    -20 В -2.3 А (SO-8)
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 23108 шт.
    Стоимость с НДС:
    21.85 грн

    pdf

    МОП-транзисторы IRF7104TRPBF с индуцированными каналами обладают напряжением -20 В и током -2.3 А, входят в серию IRF7104:

    • двойные, с электроповодностью p-типа;
    • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
    • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
    • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

    • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
    • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
    • Каналы
      • двойной (сборка), 8 выводов
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — -20 В
      • затвор-исток — ±12 В и -1/-3 В (порог включения)
      • температурный коэффициент пробоя — -15 мВ/°C
      • предельная скорость нарастания на стоке — -3 В/нс
      • прямое падение на диоде — -1.2 В
    • Ток (макс.)
      • стока непрерывный (при 25/70 °C) и импульсный — -2.3/-1.8 А и -10 А
      • утечки сток-исток (при 25/55 °C) и затвора — -2/-25 мкА и ±100 нА
      • диода непрерывный и импульсный — -2 А и -9.2 А
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 2.5 См
    • Рассеивание мощности
      • 2 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
    • Сопротивление (тип./макс.)
      • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток -10 В) — 190/250 мОм
      • сток-исток открытого канала (при -4.5 В) — 300/400 мОм
      • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 290/210 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 67 пкФ
    • Заряд
      • затвор (ном./макс.) — 9.3/25 нКл
      • затвор-исток/затвор-сток — 1.6/3 нКл
      • восстановления диода (ном./макс.) — 90/140 нКл
    • Время (тип./макс.)
      • задержки включения и выключения — 12/40 нс и 42/90 нс
      • нарастания и спада импульса — 16/40 нс и 30/50 нс
      • обратного восстановления диода — 69/100 нс
    • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
    • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
    • Размеры
      • длина — 5 мм
      • ширина — 4 мм
      • высота — 1.75 мм
    Top