Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка
Каталог

    20 В 3.5 А (SO-8)

    20 В 3.5 А (SO-8)
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 2235 шт.
    Стоимость с НДС:
    28.01 грн

    pdf

    МОП-транзисторы IRF7101 с индуцированными каналами обладают напряжением 20 В и током 3.5 А, входят в серию IRF7101:

    • двойные, с электроповодностью n-типа;
    • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
    • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки.

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

    • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
    • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
    • Каналы
      • двойной (сборка), 8 выводов
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — 20 В
      • затвор-исток — ±12 В и 1/3 В (порог включения)
      • температурный коэффициент пробоя — 25 мВ/°C
      • предельная скорость нарастания на стоке — 3 В/нс
      • прямое падение на диоде — 1.2 В
    • Ток (макс.)
      • стока непрерывный (при 25/100 °C) и импульсный — 3.5/2.3 А и 14 А
      • утечки сток-исток (при 25/125 °C) и затвора — 2/250 мкА и ±100 нА
      • диода непрерывный и импульсный — 2 А и 14 А
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 1.1 См
    • Рассеивание мощности
      • 2 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
    • Сопротивление (макс.)
      • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток 10/4.5 В) — 100/150 мОм
      • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 320/250 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 75 пкФ
    • Заряд (макс.)
      • затвор — 15 нКл
      • затвор-исток/затвор-сток — 2/3.6 нКл
      • восстановления диода (ном./макс.) — 41/62 нКл
    • Время
      • задержки включения/выключения — 7/24 нс
      • нарастания/спада импульса — 10/30 нс
      • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 36/54 нс
    • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
    • Температура
      • рабочая и хранения — от -55 до +150 °C
      • при пайке (макс.) — +300 °C
    • Размеры
      • длина — 5 мм
      • ширина — 4 мм
      • высота — 1.75 мм
    Top