× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

20 В 3.5 А (SO-8)

20 В 3.5 А (SO-8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7101 с индуцированными каналами обладают напряжением 20 В и током 3.5 А, входят в серию IRF7101:

  • двойные, с электроповодностью n-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки.

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — 20 В
    • затвор-исток — ±12 В и 1/3 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя — 25 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке — 3 В/нс
    • прямое падение на диоде — 1.2 В
  • Ток (макс.)
    • стока непрерывный (при 25/100 °C) и импульсный — 3.5/2.3 А и 14 А
    • утечки сток-исток (при 25/125 °C) и затвора — 2/250 мкА и ±100 нА
    • диода непрерывный и импульсный — 2 А и 14 А
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 1.1 См
  • Рассеивание мощности
    • 2 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
  • Сопротивление (макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток 10/4.5 В) — 100/150 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная/выходная — 320/250 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 75 пкФ
  • Заряд (макс.)
    • затвор — 15 нКл
    • затвор-исток/затвор-сток — 2/3.6 нКл
    • восстановления диода (ном./макс.) — 41/62 нКл
  • Время
    • задержки включения/выключения — 7/24 нс
    • нарастания/спада импульса — 10/30 нс
    • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 36/54 нс
  • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
  • Температура
    • рабочая и хранения — от -55 до +150 °C
    • при пайке (макс.) — +300 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top