Компания СЭА
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех. поддержка

-20 В -9 А (SO-8)

-20 В -9 А (SO-8)
Производитель:
Нет на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7324PBF с индуцированными каналами обладают напряжением -20 В и током -9 А, входят в серию IRF7324:

  • двойные, с электроповодностью p-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — -20 В
    • затвор-исток — ±12 В и -0.45/-1 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя — -20 мВ/°C
    • прямое падение на диоде — -1.2 В
  • Ток (макс.)
    • стока непрерывный (при 25/70 °C) и импульсный — -9/-7.1 А и -71 А
    • утечки сток-исток (при 25/125 °C) и затвора — -1/-25 мкА и ±100 нА
    • диода непрерывный и импульсный — -2 А и -71 А
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 19 См
  • Рассеивание мощности (при 25/70 °C)
    • 2/1.3 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
  • Сопротивление (макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток -4.5/-2.5 В) — 18/26 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная/выходная — 2.94 нФ и 630 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 420 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвор — 42/62 нКл
    • затвор-исток и затвор-сток — 7.1/11 нКл и 12/18 нКл
    • восстановления диода — 300/450 нКл
  • Время
    • задержки включения/выключения — 17/170 нс
    • нарастания/спада импульса — 36/190 нс
    • обратного восстановления диода — 180/270 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм
Top