Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка
Каталог

    ±25 В 3.5 А/-2.3 А (SO-8)

    ±25 В 3.5 А/-2.3 А (SO-8)
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 1 шт.
    Стоимость с НДС:
    30.22 грн

    pdf

    МОП-транзисторы IRF7105 с индуцированными каналами обладают током 3.5 А и -2.3 А, напряжением ±25 В, входят в серию IRF7105:

    • двойные, с электроповодностью n-типа и p-типа;
    • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
    • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки.

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

    • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
    • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
    • Каналы
      • двойной (сборка), 8 выводов
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа и p-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — ±25 В
      • затвор-исток — ±12 В и ±1/±3 В (порог включения)
      • температурный коэффициент пробоя (канал n/p) — 30 мВ/°C и -15 мВ/°C
      • предельная скорость нарастания на стоке — ±3 В/нс
      • прямое падение на диоде — ±1.2 В
    • Ток (канал n/p)
      • непрерывный стока и диода — 3.5/-2.3 А и ±2 А
      • непрерывный стока (при 70 °C) — 2.8/-1.8 А
      • импульсный стока и диода — 14/-10 А и 14/-9.2 А
      • утечки сток-исток и затвора — ±2 мкА и ±100 нА
      • утечки сток-исток (при 55 °C) — ±25 мкА
    • Крутизна характеристики прямой передачи (канал n/p) — 4.3/3.1 См
    • Рассеивание мощности
      • 2 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
    • Сопротивление (тип./макс.)
      • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при напряжении затвор-исток ±10 В) — 83/100 мОм и 160/250 мОм
      • сток-исток открытого n-канала и p-канала (при ±4.5 В) — 140/160 мОм и 300/400 мОм
      • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
    • Ёмкость (канал n/p)
      • входная — 330/290 пкФ
      • выходная — 250/210 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 61/67 пкФ
    • Заряд (канал n/p)
      • затвор (ном.) — 9.4/10 нКл
      • затвор (макс.) — 27/25 нКл
      • затвор-исток — 1.7/1.9 нКл
      • затвор-сток — 3.1/2.8 нКл
      • восстановления диода (ном.) — 41/90 нКл
      • восстановления диода (макс.) — 78/180 нКл
    • Время (тип./макс.)
      • задержки включения и выключения (канал n) — 7/20 нс и 45/90 нс
      • нарастания и спада импульса (канал n) — 9/20 нс и 25/50 нс
      • обратного восстановления диода (канал n) — 36/54 нс
      • задержки включения и выключения (канал p) — 12/40 нс и 45/90 нс
      • нарастания и спада импульса (канал p) — 13/40 нс и 37/50 нс
      • обратного восстановления диода (канал p) — 69/100 нс
    • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
    • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
    • Размеры
      • длина — 5 мм
      • ширина — 4 мм
      • высота — 1.75 мм
    Top