Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка
Каталог

    30 В 4 А/-30 В -3 А (SO-8)

    30 В 4 А/-30 В -3 А (SO-8)
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 4455 шт.
    Стоимость с НДС:
    20.16 грн

    pdf

    МОП-транзисторы IRF7309TRPBF с индуцированными каналами обладают током 4 А и -3 А, напряжением ±30 В, входят в серию IRF7309:

    • двойные, с электроповодностью n-типа и p-типа;
    • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
    • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
    • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

    • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
    • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
    • Каналы
      • двойной (сборка), 8 выводов
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа и p-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — ±30 В
      • затвор-исток — ±20 В и ±1 В (порог включения)
      • температурный коэффициент пробоя (канал n/p) — 32 мВ/°C и -37 мВ/°C
      • предельная скорость нарастания на стоке (канал n/p) — 6.9 В/нс и -6 В/нс
      • прямое падение на диоде — ±1 В
    • Ток (канал n/p)
      • непрерывный стока и диода — 4/-3 А и ±1.8 А
      • непрерывный стока (при 70 °C) — 3.2/-2.4 А
      • импульсный стока и диода — 16/-12 А
      • утечки сток-исток и затвора — ±1 мкА и ±100 нА
      • утечки сток-исток (при 125 °C) — ±25 мкА
    • Крутизна характеристики прямой передачи (канал n/p) — 5.2/2.5 См
    • Рассеивание мощности
      • 1.4 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 11 мВт/°C
    • Сопротивление (макс.)
      • сток-исток открытого n-канала (при напряжении затвор-исток 10/4.5 В) — 50/80 мОм
      • сток-исток открытого p-канала (при -10/-4.5 В) — 100/160 мОм
      • термальное кристалл-окружающая среда — 90 °C/Вт
    • Ёмкость (канал n/p)
      • входная — 520/440 пкФ
      • выходная — 250/210 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 61/67 пкФ
    • Заряд (канал n/p)
      • затвор — 25 нКл
      • затвор-исток — 2.9 нКл
      • затвор-сток — 7.9/9 нКл
      • восстановления диода (ном.) — 56/66 нКл
      • восстановления диода (макс.) — 84/99 нКл
    • Время (канал n/p)
      • задержки включения и выключения — 6.8/11 нс и 22/25 нс
      • нарастания и спада импульса — 21/17 нс и 7.7/18 нс
      • обратного восстановления диода (тип.) — 47/53 нс
      • обратного восстановления диода (макс.) — 71/80 нс
    • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
    • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
    • Размеры
      • длина — 5 мм
      • ширина — 4 мм
      • высота — 1.75 мм
    Top