× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

30 В 4 А/-30 В -3 А (SO-8)

30 В 4 А/-30 В -3 А (SO-8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7309TRPBF с индуцированными каналами обладают током 4 А и -3 А, напряжением ±30 В, входят в серию IRF7309:

  • двойные, с электроповодностью n-типа и p-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа и p-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — ±30 В
    • затвор-исток — ±20 В и ±1 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя (канал n/p) — 32 мВ/°C и -37 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке (канал n/p) — 6.9 В/нс и -6 В/нс
    • прямое падение на диоде — ±1 В
  • Ток (канал n/p)
    • непрерывный стока и диода — 4/-3 А и ±1.8 А
    • непрерывный стока (при 70 °C) — 3.2/-2.4 А
    • импульсный стока и диода — 16/-12 А
    • утечки сток-исток и затвора — ±1 мкА и ±100 нА
    • утечки сток-исток (при 125 °C) — ±25 мкА
  • Крутизна характеристики прямой передачи (канал n/p) — 5.2/2.5 См
  • Рассеивание мощности
    • 1.4 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 11 мВт/°C
  • Сопротивление (макс.)
    • сток-исток открытого n-канала (при напряжении затвор-исток 10/4.5 В) — 50/80 мОм
    • сток-исток открытого p-канала (при -10/-4.5 В) — 100/160 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 90 °C/Вт
  • Ёмкость (канал n/p)
    • входная — 520/440 пкФ
    • выходная — 250/210 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 61/67 пкФ
  • Заряд (канал n/p)
    • затвор — 25 нКл
    • затвор-исток — 2.9 нКл
    • затвор-сток — 7.9/9 нКл
    • восстановления диода (ном.) — 56/66 нКл
    • восстановления диода (макс.) — 84/99 нКл
  • Время (канал n/p)
    • задержки включения и выключения — 6.8/11 нс и 22/25 нс
    • нарастания и спада импульса — 21/17 нс и 7.7/18 нс
    • обратного восстановления диода (тип.) — 47/53 нс
    • обратного восстановления диода (макс.) — 71/80 нс
  • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top