Фоторезисторы

Сумма минимального заказа - 500 грн.

PDV-P8104

PHOTOCELL 27-60KOHM

Код производителя: PDV-P8104-ND

API

Цена по запросу

На складе: 27440 шт.

PGM5506

Фоторезистор d = 5mm, RD = 2-6 kOm

Token

14.53 грн

На складе: 200 шт.

PGM5649D

Фоторезистор FW 150V, 100мВт, ceramic, 50-160 кОм

Token

10.31 грн

На складе: 500 шт.

A906014

Фоторезистор выводной, 77-340 кОм, 150V max

PerkinElmer

Цена по запросу

Под заказ

A995011

150 VDC, 0.09W, 530nm, Epoxy enc.

Excelics

Цена по запросу

Под заказ

FR12/100K

Фоторезистор; 175мВт; 18кОм; 100кОм; Монтаж: THT

---

Цена по запросу

Под заказ

GL5516

Фоторезистор, розмір - Ф5, 0, опір в освітленому сотоянии 5-10 кОм, темновий 500 кОм.

---

Цена по запросу

Под заказ

GL5528

Фоторезистор

Senba Sensing Technology Co., Ltd.

Цена по запросу

Под заказ

GM3516

Фоторезистор; 50мВт; 5?10кОм; 540нм; Монтаж: THT; 100ВDC

---

Цена по запросу

Под заказ

MLG4406

Фоторезистор d = 4, 4mm ; RD = 4-6 kOm

MEC

Цена по запросу

Под заказ

MLG5506

Фоторезистор d = 5.5mm ; RD = 4-6 kOm

MEC

Цена по запросу

Под заказ

MLG5516

150Vmax; 90mW; 5-10kOhm/0.5MOhm

MEC

Цена по запросу

Под заказ

MLG5547

Фоторезистор 150Vmax; 100mW; 30-50kOhm/5MOhm

MEC

Цена по запросу

Под заказ

NSL-32SR3

OPTOISO PHOTOCELL OPTOCOUPLER

Luna Innovations Incorpor

Цена по запросу

Под заказ

NSL-6910

PHOTOCELL, TO-8

Luna Innovations Incorpor

Цена по запросу

Под заказ

Что такое фоторезистор?

Фоторезистор – полупроводник, сопротивление которого увеличивается или уменьшается в зависимости от интенсивности падающего света на поверхность прибора. Чем ярче свет, тем ниже сопротивление.

Характеристики фоторезистора

Фоторезистор не имеет PN-перехода по сравнению с другими светочувствительными компонентами. Светочувствительность фоторезистора может также сильно изменяться в зависимости от температуры окружающей среды. Это делает их непригодными для приложений, требующих точного измерения энергии фотонов.

Кроме того, фоторезисторы имеют определенную задержку между воздействием света и последующим снижением сопротивления, обычно составляет около десяти миллисекунд. Время задержки при переходе из освещенной в темную среду еще больше, часто до секунды. Поэтому быстрое мигание не может быть обнаружено с помощью фоторезисторов.

Если фоторезисторы применяются не как центральные элементы релейных комплектов, а отдельно, то должна соблюдаться схемотехническая точность припайки. Это связано с тем, что фоторезисторы могут работать с максимальным рабочим напряжением от 100 В – 350 В.

Другими параметрами являются длины обнаруживаемых волн, которые обычно составляют от 400 нм до 700 нм, сопротивление ячейки и температурные границы. Последние обычно колеблются от -60 °C до +75°C. Стандартное сопротивление указывается при освещенности 10 люкс и обычно составляет от 6 кОм до 60 кОм.

Световое сопротивление фоторезистора (Ом) при освещении (или инфракрасном облучении)- этот параметр указывается для определенного уровня освещенности фоторезистора, измеряемого в люксах. Определить, какое световое сопротивление фоторезистора возможно через определенный интервал времени после начала воздействия излучения, создающего на приборе освещенность заданного значения.

Виды фоторезисторов

1. Встроенные фоторезисторы (неуглубленный полупроводник) Они состоят из чистых полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Электроны возбуждаются от валентной зоны к зоне проводимости, когда на них падают фотоны с достаточной энергией и увеличивается количество носителей заряда.

2. Наружные фоторезисторы: Это полупроводниковые материалы, легированные примесями, называемые легирующими веществами. Эти легирующие вещества генерируют новые энергетические полосы над валентной областью, заполненные электронами. Это уменьшает запретную зону и требует меньше энергии для ее возбуждения. Наружные фоторезисторы обычно используются для длинных волн.

Принцип работы и устройство фоторезистора

Фоторезисторы всегда должны быть включены в цепь с источником напряжения. Если свет падает на фоторезистор, то его омическое сопротивление уменьшается. В результате ток в цепи увеличивается.

Фоторезистора строение состоит из светочувствительного материала (т.е. датчика света), который наносится на изоляционную подложку, такую как керамика. Материал наносится зигзагообразным образом для получения желаемого сопротивления и номинальной мощности. Эта зигзагообразная область разделяет металлически отложенные области на две области. Затем омические контакты размещаются по бокам поверхности. Сопротивление этих контактов должно быть как можно ниже, чтобы гарантировать, что сопротивление изменяется в основном из-за воздействия света. Обычно материалами для модуля фоторезистора являются сульфид кадмия, селенид кадмия, антимонид индия и сульфид кадмия.

Доступная цена фоторезистора и простая структура делают устройство привлекательным на рынке электронных компонентов. Используется, когда необходимо выявить отсутствие или присутствие света, как в случае с измерителем освещенности камеры, датчиками освещенности. Использование в уличных фонарях, будильниках, контурах сигнализации вторжения, измерителях интенсивности света на конвейерной ленте и т.д. Фоторезистор используется в цепях постоянного и переменного тока.

Для того, чтобы получить квалифицированную консультацию по электронным компонентам, купить фоторезистор в Украине, обратитесь в офис компании СЭА по телефону: +38 (044) 330-00-88, +38 (067) 352 98 56 или по e-mail: info@sea.com.ua.