Модуль IGB FS50R06W1E3

Производитель:

Infineon Technologies

Остаток на складе: 20 шт.

Стоимость с НДС:

3091.33 грн

pdf

Описание
Технические характеристики

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V

Технические характеристики:

Производитель: Infineon
Категория продукта: модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Продукт: IGBT Silicon Modules
Конфигурация: IGBT-Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 70 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Pd - рассеивание мощности: 205 W
Упаковка / блок: Module
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Упаковка: Tray
Вид монтажа: SMD/SMT
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Минимальная сумма заказа - {{ item.direction.min_price }} грн. Все цены указаны с НДС.

Наименование	К-во	Цена/шт.
{{ product.name }} {{ product.remark }}	шт.	{{ product.price_with_tax }} грн.

ИТОГО: {{ item.total_with_tax }} грн.

Ваша корзина пуста.

Продолжить покупки Оформить заказ

Название	Описание	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Продолжить покупки

Название	Описание	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Отмена

Top

Модуль IGB FS50R06W1E3

Видео продукции