BZV55-B3V0,115

Производитель:

NXP Semiconductors

Остаток на складе: 67 шт.

Стоимость с НДС:

2.69 грн

pdf

Технические характеристики

Технические характеристики:

Категория продукта: стабилитроны
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода: 3.06 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SOD-80C
Pd - рассеивание мощности: 500 mW
Допустимое отклонение напряжения: 2 %
Температурный коэффициент напряжения: - 2.1 mV/K
Зенеровский ток: 10 uA
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое: 95 Ohms
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 200 C
Конфигурация: Single
Ток испытаний: 5 mA
Диаметр: 1.5 mm
Длина: 3.5 mm
Ir - обратный ток : 10 uA
Vf - прямое напряжение: 900 mV

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Минимальная сумма заказа - {{ item.direction.min_price }} грн. Все цены указаны с НДС.

Наименование	К-во	Цена/шт.
{{ product.name }} {{ product.remark }}	шт.	{{ product.price_with_tax }} грн.

ИТОГО: {{ item.total_with_tax }} грн.

Ваша корзина пуста.

Продолжить покупки Оформить заказ

Название	Описание	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Продолжить покупки

Название	Описание	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Отмена

Top

BZV55-B3V0,115

Видео продукции