BC858CE6327

Производитель:

Infineon Technologies

Остаток на складе: 76 шт.

Стоимость с НДС:

1.07 грн

Описание
Технические характеристики

Біполярні транзистори - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

Технічні характеристики:

Виробник: Infineon
Категорія товару: біполярні транзистори - BJT
Вид монтажу: SMD/SMT
Полярність транзистора: PNP
Конфігурація: Dual
Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 30 V
Напруга колектор-база (VCBO): 30 V
Напруга емітер-база (VEBO): 5 V
Напруга насичення колектор-емітер: 250 mV
Максимальний постійний струм колектора: 200 mA
Pd - розсіювання потужності: 330 mW
Добуток коефіцієнта посилення на ширину смуги пропускання (fT): 250 MHz
Мінімальна робоча температура: - 65 C
Максимальна робоча температура: + 150 C
Безперервний колекторний струм: 100 mA

Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, модулів та електронних радіодеталях, купити електронні компоненти в Україні зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88 або на e-mail: info@sea.com.ua.

Минимальная сумма заказа - {{ item.direction.min_price }} грн. Все цены указаны с НДС.

Наименование	К-во	Цена/шт.
{{ product.name }} {{ product.remark }}	шт.	{{ product.price_with_tax }} грн.

ИТОГО: {{ item.total_with_tax }} грн.

Ваша корзина пуста.

Продолжить покупки Оформить заказ

Название	Описание	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Продолжить покупки

Название	Описание	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Отмена

Top

BC858CE6327

Видео продукции