Технические характеристики:
- Производитель: Diodes Incorporated
- Категория товара: биполярные транзисторы - BJT
- Вид монтажа: SMD/SMT
- Полярность транзистора: NPN
- Конфигурация: Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 500 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора: 1 A
- Pd - рассеивание мощности: 2 W
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 150 MHz
- Минимальная рабочая температура: - 55 C
- Максимальная рабочая температура: + 150 C
Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА: info@sea.com.ua
Написать отзыв