Технічні характеристики:
- Виробник: Diodes Incorporated
- Категорія товару: біполярні транзистори - BJT
- Вид монтажу: SMD/SMT
- Полярність транзистора: NPN
- Конфігурація: Single
- Напруга колектор-емітер (VCEO), макс. 125 V
- Напруга колектор-база (VCBO): 125 V
- Напруга емітер-база (VEBO): 5 V
- Напруга насичення колектор-емітер: 900 mV
- Максимальний постійний струм колектора: 800 mA
- Pd - розсіювання потужності: 310 mW
- Мінімальна робоча температура: - 55 C
- Максимальна робоча температура: + 150 C
- Колектор постійного струму/мін. коеф. посилення транзистора (hfe): 25 at 100 uA, 1 V, 63 at 100 mA, 1 V, 40 at 200 mA, 1 V
Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, модулів та електронних радіодеталях, купити електронні компоненти в Україні зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88 або на e-mail: info@sea.com.ua.
Написать отзыв