Технические характеристики:
- Производитель: Diodes Incorporated
- Категория товара: биполярные транзисторы - BJT
- Вид монтажа: SMD/SMT
- Полярность транзистора: NPN
- Конфигурация: Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 150 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO): 170 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 300 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора: 1 A
- Pd - рассеивание мощности: 500 mW
- Минимальная рабочая температура: - 55 C
- Максимальная рабочая температура: + 150 C
- Непрерывный коллекторный ток: 1 A
Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА: info@sea.com.ua
Написать отзыв