HGT1S12N60A4DS

Производитель:

On Semiconductor/Fairchild

Остаток на складе: 15 шт.

Стоимость с НДС:

259.44 грн

pdf

Описание
Технические характеристики

Біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT) 12A 600V N-Ch

Технічні характеристики:

Виробник: onsemi
Категорія товару: біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
Технологія: Si
Вид монтажу: SMD/SMT
Конфігурація: Single
Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 600 V
Напруга насичення колектор-емітер: 2.7 V
Максимальна напруга затвор-емітер: 20 V
Безперервний колекторний струм при 25 C: 54 A
Pd - розсіювання потужності: 167 W
Мінімальна робоча температура: - 55 C
Максимальна робоча температура: + 150 C
Безперервний колекторний струм: 60 A
Безперервний струм колектора Ic, макс. 54 A
Струм витоку затвор-емітер: +/- 250 nA

Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, модулів та електронних радіодеталях, купити електронні компоненти в Україні зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88 або на e-mail: info@sea.com.ua.

Минимальная сумма заказа - {{ item.direction.min_price }} грн. Все цены указаны с НДС.

Наименование	К-во	Цена/шт.
{{ product.name }} {{ product.remark }}	шт.	{{ product.price_with_tax }} грн.

ИТОГО: {{ item.total_with_tax }} грн.

Ваша корзина пуста.

Продолжить покупки Оформить заказ

Название	Описание	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Продолжить покупки

Название	Описание	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Отмена

Top

HGT1S12N60A4DS

Видео продукции