Технические характеристики:
- Производитель: STMicroelectronics
- Категория товара: биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
- Технология: Si
- Вид монтажа: SMD/SMT
- Конфигурация: Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 10 A
- Pd - рассеивание мощности: 55 W
- Минимальная рабочая температура: - 55 C
- Максимальная рабочая температура: + 150 C
- Непрерывный коллекторный ток: 5 A
- Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 10 A
- Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA
Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА: info@sea.com.ua
