Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка Блог
Каталог

    100 В 33 А (TO-220)

    100 В 33 А (TO-220)
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 25 шт.
    Стоимость с НДС:
    64.37 грн

    pdf

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

    МОП-транзисторы IRF540NPbF с индуцированным каналом обладают напряжением 100 В и током 33 А, входят в серию IRF540N:

    • одноканальные с электроповодностью n-типа, предназначены для выводного монтажа;
    • упакованы в TO-220AB — универсальный для всех коммерческих промышленных применений корпус с уровнем рассеивания мощности примерно до 50 Вт и низким термальным сопротивлением;
    • отвечают требованиям RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).
    • Каналы
      • единый, три вывода
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — 100 В
      • температурный коэффициент (пробоя) — 0.12 В/°C
      • затвор-исток — ±20 В и 2-4 В (порог включения)
      • предельная скорость нарастания на стоке — 7 В/нс
      • прямое падение на диоде — 1.2 В
    • Ток (макс.)
      • стока непрерывный (при 25/100 °C) и импульсный — 33/23 А и 110 А
      • диода непрерывный и импульсный — 33 А и 110 А
      • прерывания — 16 А
      • утечки стока (при 100/80 В) и затвора — 25/250 мкА и ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 21 См
    • Рассеивание мощности
      • 130 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 870 мВт/°C
    • Энергия импульсов на стоке
      • единичные (макс./при 175 °C) — 700/185 мДж
      • повторяющиеся — 13 мДж
    • Сопротивление
      • сток-исток открытого канала — 44 мОм
      • термальное корпус-радиатор и кристалла (корпус/окружающая среда) — 0.5 °C/Вт и 1.15/62 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 1.96 нФ и 250 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 40 пкФ
    • Заряд
      • затвор (макс.) — 71 нКл
      • затвор-исток/затвор-сток — 14/21 нКл
      • восстановления диода (ном./макс.) — 505/760 нКл
    • Время
      • задержки включения/выключения — 11/39 нс
      • нарастания/спада импульса — 35 нс
      • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 115/170 нс
    • Индуктивность сток/исток — 4.5/7.5 нГн
    • Температура
      • рабочая и хранения — от -55 до +175 °C
      • при пайке (макс.) — +300 °C
    • Размеры
      • длина — 10.52 мм
      • ширина — 15.85 мм
      • высота — 4.65 мм
    Top