Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка
Каталог

    -200 В -12 А (TO-247)

    -200 В -12 А (TO-247)
    Остаток на складе: 15 шт.
    Стоимость с НДС:
    102.82 грн

    pdf

    Третье поколение дискретных полупроводников Power MOSFET производства Vishay является лучшей комбинацией быстрого переключения, прочной конструкции, низких себестоимости и сопротивления в активном состоянии.

    МОП-транзисторы SiHFP9240-E3 (IRFP9240PBF) с индуцированным каналом обладают напряжением -200 В и током -12 А, входят в серию IRFP9240/SiHFP9240:

    • одноканальные с электроповодностью p-типа, характеризуются простотой параллельного подключения;
    • выполнены с кремния, упакованы в TO-247AC, предназначены для выводного монтажа;
    • отвечают требованиям RoHS (модели с примечанием E3/PbF).

    Корпус TO-247AC похож на TO-218, но является лучшим выбором благодаря изолированной точке монтажа и большему расстоянию утечки между контактами (удовлетворяя значительное множество требований безопасности). Преимущественно применяется при высоких мощностях (когда использование устройств в корпусе TO-220AB противопоказано).

    • Каналы
      • единый, три вывода
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — -200 В
      • температурный коэффициент (пробоя) — -0.2 В/°C
      • затвор-исток — ±20 В и -2/-4 В (порог включения)
      • предельная скорость нарастания на стоке — -5 В/нс
      • прямое падение на диоде — -5 В
    • Ток (макс.)
      • стока непрерывный (при 25/100 °C) и импульсный — -12/-7.5 А и -48 А
      • диода непрерывный и импульсный — -12 А и -48 А
      • прерывания — -12 А
      • утечки сток-исток (при -200/-160 В) и затвора — -100/-500 мкА и ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 4.2 См
    • Рассеивание мощности
      • 150 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 1.2 Вт/°C
    • Энергия импульсов на стоке (макс.)
      • единичные — 790 мДж
      • повторяющиеся — 15 мДж
    • Сопротивление
      • сток-исток открытого канала — 500 мОм
      • термальное корпус-радиатор и кристалла (корпус/окружающая среда) — 0.24 °C/Вт и 0.83/40 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 1.2 нФ и 370 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 81 пкФ
    • Заряд
      • затвор (макс.) — 44 нКл
      • затвор-исток/затвор-сток — 7.1/27 нКл
      • восстановления диода (ном./макс.) — 2.9/3.6 мкКл
    • Время
      • задержки включения/выключения — 14/39 нс
      • нарастания/спада импульса — 43/38 нс
      • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 250/300 нс
    • Индуктивность сток/исток — 5/13 нГн
    • Температура
      • рабочая и хранения — от -55 до +150 °C
      • при пайке (макс.) — +300 °C
    • Размеры
      • длина — 20.82 мм
      • ширина — 15.87 мм
      • высота — 5.31 мм
    Top