Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка Блог
Каталог

    200 В 3.3 А (TO-220)

    200 В 3.3 А (TO-220)
    Остаток на складе: 4 шт.
    Стоимость с НДС:
    21.13 грн

    Третье поколение дискретных полупроводников Power MOSFET производства Vishay является лучшей комбинацией быстрого переключения, прочной конструкции, низких сопротивления и себестоимости. Корпус TO-220AB стал универсальным для всех коммерческих промышленных применений с уровнем рассеивания мощности примерно до 50 Вт и низким термальным сопротивлением.

    МОП-транзисторы SiHF610-E3 (IRF610PbF) с индуцированным каналом обладают напряжением 200 В и током 3.3 А, входят в серию IRF610/SiHF610:

    • одноканальные с электроповодностью n-типа, предназначены для выводного монтажа;
    • выполнены с кремния, упакованы в TO-220AB;
    • отвечают требованиям RoHS (модели с примечанием E3/PbF).
    • Каналы
      • единый, три вывода
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — 200 В
      • затвор-исток — ±20 В и 2-4 В (порог включения)
      • температурный коэффициент (пробоя) — 0.3 В/°C
      • предельная скорость нарастания на стоке — 5 В/нс
      • прямое падение на диоде — 2 В
    • Ток (макс.)
      • стока непрерывный (при 25/100 °C) и импульсный — 3.3/2.1 А и 10 А
      • прерывания — 3.3 А
      • утечки сток-исток (при 200/160 В) и затвора — 25/250 мкА и ±100 нА
      • диода непрерывный и импульсный — 3.3 А и 10 А
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 0.8 См
    • Рассеивание мощности
      • 36 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 290 мВт/°C
    • Энергия импульсов на стоке (макс.)
      • единичные — 64 мДж
      • повторяющиеся — 3.6 мДж
    • Сопротивление
      • сток-исток открытого канала — 1.5 Ом
      • термальное корпус-радиатор и кристалла (корпус/окружающая среда) — 0.5 °C/Вт и 3.5/62 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 140/53 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 15 пкФ
    • Заряд
      • затвор (макс.) — 8.2 нКл
      • затвор-исток/затвор-сток — 1.8/4.5 нКл
      • восстановления диода (ном./макс.) — 0.6/1.4 мкКл
    • Время
      • задержки включения/выключения — 8.2/14 нс
      • нарастания/спада импульса — 17/8.9 нс
      • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 150/310 нс
    • Индуктивность сток/исток — 4.5/7.5 нГн
    • Температура
      • рабочая и хранения — от -55 до +150 °C
      • при пайке (макс.) — +300 °C
    • Размеры
      • длина — 10.52 мм
      • ширина — 15.85 мм
      • высота — 4.65 мм
    Top