Третье поколение дискретных полупроводников Power MOSFET производства Vishay является лучшей комбинацией быстрого переключения, прочной конструкции, низких сопротивления и себестоимости. Корпус TO-220AB стал универсальным для всех коммерческих промышленных применений с уровнем рассеивания мощности примерно до 50 Вт и низким термальным сопротивлением.
МОП-транзисторы SiHF610-E3 (IRF610PbF) с индуцированным каналом обладают напряжением 200 В и током 3.3 А, входят в серию IRF610/SiHF610:

Написать отзыв