Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка Блог
Каталог

    -30 В -760 мА (SOT-23) [3000 шт.]

    -30 В -760 мА (SOT-23) [3000 шт.]
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 30 шт.
    Стоимость с НДС:
    44.33 грн

    pdf

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

    МОП-транзисторы IRLML5103TRPBF с индуцированным каналом, обладают напряжением -30 В и током -0.76 А:

    • одноканальные с электроповодностью p-типа;
    • упакованы в модифицированный SOT-23-3 (TO-236AB) — Micro3TM;
    • соответствуют требованиям директивы RoHS (не содержат свинца).

    Благодаря доработкам дизайна стандартного корпуса SOT-23 разработан один с наименьших по площади в промышленности корпус Micro3:

    • идеален для применений с акцентом на наиболее эффективное использование пространства печатной платы;
    • низкая высота устройств делает возможной установку на платы портативной электроники и карт PCMCIA.
    • Каналы
      • единый, три вывода
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — -30 В
      • температурный коэффициент (пробоя) — -29 мВ/°C
      • затвор-исток — ±20 В и -1 В (порог включения)
      • li>предельная скорость нарастания на стоке — -5 В/нс
      • прямое падение на диоде — -1.2 В
    • Ток (макс.)
      • непрерывный стока (при 25/70 °C) и диода — -760/-610 мА и -540 мА
      • импульсный стока и диода — -4.8 А
      • утечки стока (при 25/125 °C) и затвор-исток — -1/-25 мкА и ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 0.44 См
    • Рассеивание мощности
      • 540 мВт
      • линейный коэффициент снижения — 4.3 мВт/°C
    • Сопротивление (макс.)
      • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток -10/-4.5 В) — 600 мОм и 1 Ом
      • термальное кристалл-окружающая среда — 230 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная — 75 пкФ
      • выходная — 37 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 18 пкФ
    • Заряд (тип./макс.)
      • затвора — 3.4/5.1 нКл
      • затвор-исток — 520/780 пкКл
      • затвор-сток — 1.1/1.7 нКл
      • восстановления диода — 20/30 нКл
    • Время
      • задержки включения и выключения — 10/23 нс
      • нарастания и спада импульса — 8.2/16 нс
      • обратного восстановления диода (тип./макс.) — 26/39 нс
    • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
    • Размеры
      • длина — 3.04 мм
      • ширина — 2.64 мм
      • высота — 1.12 мм
    Top