Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка Блог
Каталог

    30±16 В 75 А (TO-263)

    30±16 В 75 А (TO-263)
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 48 шт.
    Стоимость с НДС:
    52.49 грн

    pdf

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

    МОП-транзисторы IRL2203NSPbF с индуцированным каналом обладают напряжением 30 В и током 75 А, входят в серию IRL2203NS/L:

    • одноканальные с электроповодностью n-типа, упакованы в TO-263-3;
    • отвечают требованиям RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

    Корпус D2PAK (TO-263) представляет собой комплект для поверхностного монтажа, который обеспечивает максимальную мощность и минимально возможное сопротивление, способен поддерживать размер матрицы до HEX-4 и рассеивать до 2 Вт. Из-за низкого внутреннего сопротивления подходит для применений с высоким током.

    • Каналы
      • единый, три вывода
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — 30 В
      • температурный коэффициент (пробоя) — 29 мВ/°C
      • затвор-исток — ±16 В и 1/3 В (порог включения)
      • предельная скорость нарастания на стоке — 5 В/нс
      • прямое падение на диоде — 1.2 В
    • Ток (макс.)
      • стока непрерывный (при 25/100 °C) и импульсный — 75/82 А и 400 А
      • диода непрерывный и импульсный — 116 А и 400 А
      • прерывания — 60 А
      • утечки сток-исток (при 30/24 В) и затвора — 25/250 мкА и ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 73 См
    • Мощность
      • рассеивание (при 25 °C мин./макс.) — 3.8/180 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 1.2 Вт/°C
    • Энергия импульсов на стоке
      • единичные (тип./при 175 °C) — 1.32 Дж и 290 мДж
      • повторяющиеся — 18 мДж
    • Сопротивление
      • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток 10/4.5 В) — 7/10 мОм
      • на затворе (мин./макс.) — 200 мОм и 3 Ом
      • термальное кристалл-окружающая среда и кристалл-корпус — 40 °C/Вт и 0.85 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 3.29/1.27 нФ
      • реверсная (затвор-сток) — 170 пкФ
    • Заряд
      • затвор — 60 нКл
      • затвор-исток/затвор-сток — 14/33 нКл
      • восстановления диода (ном./макс.) — 110/170 нКл
    • Время
      • задержки включения/выключения — 11/23 нс
      • нарастания/спада импульса — 160/66 нс
      • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 56/84 нс
    • Индуктивность сток/исток — 4.5/7.5 нГн
    • Температура
      • рабочая и хранения — от -55 до +175 °C
      • при пайке (макс.) — +300 °C
    • Размеры
      • длина — 10.67 мм
      • ширина — 9.65 мм
      • высота — 4.83 мм
    Top