55 В 2 А (SOT-223)

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

МОП-транзисторы IRLL014NTRPBF с индуцированным каналом обладают напряжением 55 В и током 2 А, входят в серию IRLL014N:

• одноканальные с электроповодностью n-типа;
• упакованы в SOT-223 (TO-261AA) — монтаж проводится на поверхность платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
• соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Уникальный дизайн корпуса SOT-223 обеспечивает простоту автоматического монтажа, как и у других корпусов SOT или SOIC, но дополнительным преимуществом являются улучшенные термальные характеристики благодаря увеличенному теплоотводу. Для типичных применений возможен уровень рассеивания мощности более 1 Вт.