Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка Блог
Каталог

    55 В 2 А (SOT-223)

    55 В 2 А (SOT-223)
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 1793 шт.
    Стоимость с НДС:
    24.13 грн

    pdf

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

    МОП-транзисторы IRLL014NTRPBF с индуцированным каналом обладают напряжением 55 В и током 2 А, входят в серию IRLL014N:

    • одноканальные с электроповодностью n-типа;
    • упакованы в SOT-223 (TO-261AA) — монтаж проводится на поверхность платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
    • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

    Уникальный дизайн корпуса SOT-223 обеспечивает простоту автоматического монтажа, как и у других корпусов SOT или SOIC, но дополнительным преимуществом являются улучшенные термальные характеристики благодаря увеличенному теплоотводу. Для типичных применений возможен уровень рассеивания мощности более 1 Вт.

    • Каналы
      • единый, три вывода
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — 55 В
      • температурный коэффициент (пробоя) — 15 мВ/°C
      • затвор-исток — ±16 В и 1/2 В (порог включения)
      • предельная скорость нарастания на стоке — 7.2 В/нс
      • прямое падение на диоде — 1 В
    • Ток (макс.)
      • непрерывный стока (при 25/70 °C) и диода — 2/1.6 А и 1.3 А
      • непрерывный стока (на 1'' медной плате) — 2.8 А
      • импульсный и прерывания — 16 А и 2 А
      • утечки стока (при 55/44 В) и затвора — 25/250 мкА и ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 2.3 См
    • Мощность
      • рассеивание (тип./при монтаже на медную плату площадью 1 дюйм) — 1/2.1 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 8.3 мВт/°C
    • Энергия импульсов на стоке (макс.)
      • единичные — 32 мДж
      • повторяющиеся — 100 мкДж
    • Сопротивление
      • сток-исток открытого канала (при 4/5/10 В) — 280/200/140 мОм
      • термальное кристалл-окружающая среда (тип./макс.) — 90/120 °C/Вт
      • термальное кристалл-окружающая среда (тип. на 1'' медной плате/макс.) — 50/60 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 230/66 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 30 пкФ
    • Заряд (тип./макс.)
      • затвор — 9.5/14 нКл
      • затвор-исток — 1.1/1.7 нКл
      • затвор-сток — 3/4.4 нКл
      • восстановления диода — 73/110 нКл
    • Время
      • задержки включения/выключения — 5.1/14 нс
      • нарастания/спада импульса — 4.9/2.9 нс
      • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 41/61 нс
    • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
    • Размеры
      • длина — 6.7 мм
      • ширина — 3.7 мм
      • высота — 1.8 мм
    Top