Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка Блог
Каталог

    60 В 1.2 А (SOT-23) [3000 шт.]

    60 В 1.2 А (SOT-23) [3000 шт.]
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 4 шт.
    Стоимость с НДС:
    53.65 грн

    pdf

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

    МОП-транзисторы IRLML2060TRPBF с индуцированным каналом, обладают напряжением 60 В и током 1.2 А:

    • одноканальные с электроповодностью n-типа;
    • упакованы в модифицированный SOT-23-3 (TO-236AB) — Micro3TM;
    • соответствуют требованиям директивы RoHS (не содержат свинца, бромида и галогена);
    • квалифицированны согласно MSL1.

    Благодаря доработкам дизайна стандартного корпуса SOT-23 разработан один с наименьших по площади в промышленности корпус Micro3:

    • идеален для применений с акцентом на наиболее эффективное использование пространства печатной платы;
    • низкая высота устройств делает возможной установку на платы портативной электроники и карт PCMCIA.
    • Каналы
      • единый, три вывода
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — 60 В
      • температурный коэффициент (пробоя) — 60 мВ/°C
      • затвор-исток — ±16 В и 1/2.5 В (порог включения)
      • прямое падение на диоде — 1.2 В
    • Ток (макс.)
      • непрерывный стока (при 25/70 °C) — 1.2 А и 930 мА
      • непрерывный диода — 1.2 А
      • импульсный стока и диода — 4.8 А
      • утечки стока (при 25/125 °C) и затвор-исток — 20/150 мкА и ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 1.6 См
    • Рассеивание мощности (при 25/70 °C)
      • 1.25/0.8 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 10 мВт/°C
    • Сопротивление (тип./макс.)
      • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток 10 В) — 356/480 мОм
      • сток-исток открытого канала (при 4.5 В) — 475/640 мОм
      • на затворе — 7.5 Ом
      • термальное кристалл-окружающая среда — 100 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная — 64 пкФ
      • выходная — 13 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 6.6 пкФ
    • Заряд
      • затвора — 670 пкКл
      • затвор-исток — 180 пкКл
      • затвор-сток — 400 пкКл
      • восстановления диода (тип./макс.) — 8.3/12 нКл
    • Время
      • задержки включения и выключения — 4.9/3.7 нс
      • нарастания и спада импульса — 3.8/2.8 нс
      • обратного восстановления диода (тип./макс.) — 14/21 нс
    • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
    • Размеры
      • длина — 3.04 мм
      • ширина — 2.64 мм
      • высота — 1.12 мм
    Top