Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка Блог
Каталог

    600 В 16 А (TO-247)

    600 В 16 А (TO-247)
    Остаток на складе: 27 шт.
    Стоимость с НДС:
    211.85 грн

    Третье поколение дискретных полупроводников Power MOSFET производства Vishay является лучшей комбинацией быстрого переключения, прочной конструкции, низких себестоимости и сопротивления в активном состоянии.

    МОП-транзисторы SiHFPC60-E3 (IRFPC60PBF) с индуцированным каналом обладают напряжением 600 В и током 16 А, входят в серию IRFPC60/SiHFPC60:

    • одноканальные с электроповодностью n-типа, характеризуются простотой параллельного подключения;
    • выполнены с кремния, упакованы в TO-247AC, предназначены для выводного монтажа;
    • отвечают требованиям RoHS (модели с примечанием E3/PbF).

    Корпус TO-247AC похож на TO-218, но является лучшим выбором благодаря изолированной точке монтажа и большему расстоянию утечки между контактами (удовлетворяя значительное множество требований безопасности). Преимущественно применяется при высоких мощностях (когда использование устройств в корпусе TO-220AB противопоказано).

    • Каналы
      • единый, три вывода
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — 600 В
      • температурный коэффициент (пробоя) — 0.83 В/°C
      • затвор-исток — ±20 В и 2-4 В (порог включения)
      • предельная скорость нарастания на стоке — 3 В/нс
      • прямое падение на диоде — 1.8 В
    • Ток (макс.)
      • стока непрерывный (при 25/100 °C) и импульсный — 16/10 А и 64 А
      • диода непрерывный и импульсный — 16 А и 64 А
      • прерывания — 16 А
      • утечки сток-исток (при 600/480 В) и затвора — 100/500 мкА и ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 13 См
    • Рассеивание мощности
      • 280 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 2.2 Вт/°C
    • Энергия импульсов на стоке (макс.)
      • единичные — 1 Дж
      • повторяющиеся — 28 мДж
    • Сопротивление
      • сток-исток открытого канала — 400 мОм
      • термальное корпус-радиатор и кристалла (корпус/окружающая среда) — 0.24 °C/Вт и 0.45/40 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 3.9 нФ и 440 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 98 пкФ
    • Заряд
      • затвор (макс.) — 210 нКл
      • затвор-исток/затвор-сток — 26/110 нКл
      • восстановления диода (ном./макс.) — 6.6/9.9 мкКл
    • Время
      • задержки включения/выключения — 19/110 нс
      • нарастания/спада импульса — 54/56 нс
      • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 610/920 нс
    • Индуктивность сток/исток — 5/13 нГн
    • Температура
      • рабочая и хранения — от -55 до +150 °C
      • при пайке (макс.) — +300 °C
    • Размеры
      • длина — 20.82 мм
      • ширина — 15.87 мм
      • высота — 5.31 мм
    Top