× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

30 В 4.9 А (SO-8)

30 В 4.9 А (SO-8)
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

МОП-транзисторы IRF7303TRPBF с индуцированными каналами обладают напряжением 30 В и током 4.9 А, входят в серию IRF7303:

  • двойные, с электроповодностью n-типа;
  • упакованы в модифицированный промышленный корпус SO-8;
  • предназначены для монтажа на поверхность печатной платы с использованием волновой, инфракрасной или парофазной техники пайки;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца).

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию:

  • уровень рассеивания мощности превышает 0.8 Вт (типичные применения);
  • уникальные доработки дизайна корпуса SO-8 обеспечивает улучшенные термальные характеристики и два каналы, поэтому несколько устройств могут быть установлены на меньшую площадь платы.
  • Каналы
    • двойной (сборка), 8 выводов
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — 30 В
    • затвор-исток — ±20 В и 1 В (порог включения)
    • температурный коэффициент пробоя — 32 мВ/°C
    • предельная скорость нарастания на стоке — 5 В/нс
    • прямое падение на диоде — 1 В
  • Ток (макс.)
    • стока непрерывный (при 25/70 °C) и импульсный — 4.9/3.9 А и 20 А
    • утечки сток-исток (при 25/125 °C) и затвора — 1/25 мкА и ±100 нА
    • диода непрерывный и импульсный — 2.5 А и 20 А
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 5.2 См
  • Рассеивание мощности
    • 2 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
  • Сопротивление (макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток 10/4.5 В) — 50/80 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная/выходная — 520/180 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 72 пкФ
  • Заряд
    • затвор — 25 нКл
    • затвор-исток/затвор-сток — 2.9/7.9 нКл
    • восстановления диода (ном./макс.) — 56/84 нКл
  • Время
    • задержки включения/выключения — 6.8/22 нс
    • нарастания/спада импульса — 21/7.7 нс
    • обратного восстановления диода (ном./макс.) — 47/71 нс
  • Индуктивность сток/исток — 4/6 нГн
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 5 мм
    • ширина — 4 мм
    • высота — 1.75 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top