Компания СЭА
× Компания Каталог Производство Услуги Новости Вакансии Вход/авторизация Производители Контакты Доставка Тех. поддержка Блог
Каталог

    -30 В -9.2 А 19 нК (SO-8)

    -30 В -9.2 А 19 нК (SO-8)
    Производитель: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Остаток на складе: 2 шт.
    Стоимость с НДС:
    87.84 грн

    pdf

    МОП-транзисторы IRF9358PbF с индуцированными каналами обладают напряжением -30 В и током -9.2 А, входят в серию IRF9358:

    • двойные, с электроповодностью p-типа;
    • упакованы в стандартный промышленный корпус SO-8, предназначены для монтажа на поверхность печатной платы;
    • соответствуют требованиям директивы RoHS (модели с примечанием PbF не содержат свинца, бромидов и галогенов);
    • используются для управления питанием (ноутбуки).

    Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

    • Каналы
      • двойной (сборка), 8 выводов
      • режим — обогащение
    • Полупроводниковая проводимость (полярность) — p-типа
    • Напряжение
      • сток-исток — -30 В
      • затвор-исток — ±20 В и -1.3/-2.4 В (порог включения)
      • температурный коэффициент пробоя/включения — -20 мВ/°C и -5.9 мВ/°C
      • прямое падение на диоде — -1.2 В
    • Ток (макс.)
      • непрерывный стока (при 25/70 °C) и диода — -9.2/-7.3 А и -2 А
      • импульсный и прерывания — -73 А и -7.3 А
      • утечки сток-исток (при 25/125 °C) и затвора — -1/-150 мкА и ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямой передачи — 23 См
    • Мощность
      • рассеивание (при 25/70 °C) — 2.5/1.3 Вт
      • линейный коэффициент снижения — 16 мВт/°C
    • Энергия единичных импульсов на стоке (макс.) — 210 мДж
    • Сопротивление (тип./макс.)
      • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток -10 В) — 13/16.3 мОм
      • сток-исток открытого канала (при -4.5 В) — 19/23.8 мОм
      • на затворе — 15 Ом
      • термальное кристалл-окружающая среда — 62.5 °C/Вт
      • термальное кристалл-сток — 20 °C/Вт
    • Ёмкость
      • входная/выходная — 1.74 нФ и 360 пкФ
      • реверсная (затвор-сток) — 240 пкФ
    • Заряд
      • затвор (тип./макс.) — 19/38 нКл
      • затвор-исток/затвор-сток — 5.8 нКл и 8.9 нКл
      • восстановления диода (тип./макс.) — 35/53 нКл
    • Время
      • задержки включения/выключения — 5.7/146 нс
      • нарастания/спада импульса — 7.2/69 нс
      • обратного восстановления диода (тип./макс.) — 55/83 нс
    • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
    • Размеры
      • длина — 5 мм
      • ширина — 4 мм
      • высота — 1.75 мм
    Top