Компания СЭА
× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех. поддержка

20 В 1.2 А (SOT-23) [3000 шт.]

20 В 1.2 А (SOT-23) [3000 шт.]
Производитель:
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

МОП-транзисторы IRLML2402TRPBF с индуцированным каналом, обладают напряжением 20 В и током 1.2 А:

  • одноканальные с электроповодностью n-типа;
  • упакованы в модифицированный SOT-23-3 (TO-236AB) — Micro3TM;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (не содержат свинца и галогенов).

Благодаря доработкам дизайна стандартного корпуса SOT-23 разработан один с наименьших по площади в промышленности корпус Micro3:

  • идеален для применений с акцентом на наиболее эффективное использование пространства печатной платы;
  • низкая высота устройств делает возможной установку на платы портативной электроники и карт PCMCIA.
  • Каналы
    • единый, три вывода
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — 20 В
    • температурный коэффициент (пробоя) — 24 мВ/°C
    • затвор-исток — ±12 В и 700 мВ (порог включения)
    • li>предельная скорость нарастания на стоке — 5 В/нс
    • прямое падение на диоде — 1.2 В
  • Ток (макс.)
    • непрерывный стока (при 25/70 °C) — 1.2 А и 950 мА
    • непрерывный диода — 540 мА
    • импульсный стока и диода — 7.4 А
    • утечки стока (при 25/125 °C) и затвор-исток — 1/25 мкА и ±100 нА
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 1.3 См
  • Рассеивание мощности
    • 540 мВт
    • линейный коэффициент снижения — 4.3 мВт/°C
  • Сопротивление (макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток 4.5/2.7 В) — 250/350 мОм
    • термальное кристалл-окружающая среда — 230 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная — 110 пкФ
    • выходная — 51 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 25 пкФ
  • Заряд (тип./макс.)
    • затвора — 2.6/3.9 нКл
    • затвор-исток — 410/620 пкКл
    • затвор-сток — 1.1/1.7 нКл
    • восстановления диода — 16/24 нКл
  • Время
    • задержки включения и выключения — 2.5/9.7 нс
    • нарастания и спада импульса — 9.5/4.8 нс
    • обратного восстановления диода (тип./макс.) — 25/38 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 3.04 мм
    • ширина — 2.64 мм
    • высота — 1.12 мм
Top