× Компания Каталог Новости Вакансии Профиль Производители Контакты Доставка Тех.поддержка

20 В 6.3 А (SOT-23) [3000 шт.]

20 В 6.3 А (SOT-23) [3000 шт.]
Производитель: International Rectifier Corporation
Есть на складе
Стоимость с НДС:
Цена по запросу

Эффективные и надежные дискретные полупроводники HEXFET® Power MOSFET производства International Rectifier комбинируют ультра низкое сопротивление в активном состоянии (благодаря передовым технологиям обработки сигналов), высокую скорость переключений и прочную конструкцию.

МОП-транзисторы IRLML6244TRPBF с индуцированным каналом, обладают напряжением 20 В и током 6.3 А:

  • одноканальные с электроповодностью n-типа;
  • упакованы в модифицированный SOT-23-3 (TO-236AB) — Micro3TM;
  • соответствуют требованиям директивы RoHS (не содержат свинца, бромида и галогена).

Благодаря доработкам дизайна стандартного корпуса SOT-23 разработан один с наименьших по площади в промышленности корпус Micro3:

  • идеален для применений с акцентом на наиболее эффективное использование пространства печатной платы;
  • низкая высота устройств делает возможной установку на платы портативной электроники и карт PCMCIA.
  • Каналы
    • единый, три вывода
    • режим — обогащение
  • Полупроводниковая проводимость (полярность) — n-типа
  • Напряжение
    • сток-исток — 20 В
    • температурный коэффициент (пробоя) — 7.8 мВ/°C
    • затвор-исток — ±12 В и 0.5/1.1 В (порог включения)
    • прямое падение на диоде — 1.2 В
  • Ток (макс.)
    • непрерывный стока (при 25/70 °C) и диода — 6.3/5.1 А и 1.3 А
    • импульсный стока и диода — 32 А
    • утечки стока (при 25/125 °C) и затвор-исток — 1/150 мкА и ±100 нА
  • Крутизна характеристики прямой передачи — 17 См
  • Рассеивание мощности (при 25/70 °C)
    • 1.3/0.8 Вт
    • линейный коэффициент снижения — 10 мВт/°C
  • Сопротивление (тип./макс.)
    • сток-исток открытого канала (при напряжении затвор-исток 4.5 В) — 16/21 мОм
    • сток-исток открытого канала (при 2.5 В) — 22/27 мОм
    • на затворе — 1.7 Ом
    • термальное кристалл-окружающая среда — 100 °C/Вт
  • Ёмкость
    • входная — 700 пкФ
    • выходная — 140 пкФ
    • реверсная (затвор-сток) — 98 пкФ
  • Заряд
    • затвора — 8.9 нКл
    • затвор-исток — 680 пкКл
    • затвор-сток — 4.4 нКл
    • восстановления диода (тип./макс.) — 5.1/7.7 нКл
  • Время
    • задержки включения и выключения — 4.9/19 нс
    • нарастания и спада импульса — 7.5/12 нс
    • обратного восстановления диода (тип./макс.) — 12/18 нс
  • Температура (рабочая и хранения) — от -55 до +150 °C
  • Размеры
    • длина — 3.04 мм
    • ширина — 2.64 мм
    • высота — 1.12 мм

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию о дискретных полупроводниковых компонентах и купить транзисторы в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top