Технические характеристики:
- Производитель: Diodes Incorporated
- Категория товара: МОП-транзистор
- Технология: Si
- Вид монтажа: SMD/SMT
- Полярность транзистора: P-Channel
- Количество каналов: 1 Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V
- Id - непрерывный ток утечки: 4.2 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 52 mOhms
- Vgs - напряжение затвор-исток: - 8 V, + 8 V
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 900 mV
- Qg - заряд затвора: 10.2 nC
- Минимальная рабочая температура: - 55 C
- Максимальная рабочая температура: + 150 C
- Pd - рассеивание мощности: 1.4 W
- Канальный режим: Enhancement
- Время спада: 34.7 ns
- Время нарастания: 13.7 ns
- Тип транзистора: 1 P-Channel
- Типичное время задержки выключения: 79.3 ns
- Типичное время задержки при включении: 10.8 ns
Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА: info@sea.com.ua
Написать отзыв