-30 В -3 А (SOT-23) [3000 шт.]

Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.

МОП-транзистори IRLML5203TRPBF з індукованим каналом, мають напругу -30 В і струм -3 А:

• одноканальні з електропровідністю p-типу;
• упаковані в модифікований SOT-23-3 (TO-236AB) - Micro3 ^TM ;
• відповідають вимогам директиви RoHS (не містять свинцю).

Завдяки доопрацюванням дизайну стандартного корпусу SOT-23 розроблений один із найменших за площею в промисловості корпус Micro3:

• ідеальний для застосування з акцентом на найбільш ефективне використання простору друкованої плати;
• низька висота пристроїв уможливлює встановлення на плати портативної електроніки та карт PCMCIA.