Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.
МОП-транзистори IRLL014NTRPBF з індукованим каналом мають напругу 55 В і струм 2 А, входять в серію IRLL014N:
Унікальний дизайн корпусу SOT-223 забезпечує простоту автоматичного монтажу, як і в інших корпусів SOT або SOIC, але додатковою перевагою є покращені термальні характеристики завдяки збільшеному тепловідводу. Для типових застосувань можливий рівень розсіювання потужності понад 1 Вт.