Компанія СЕА
× Компанія Каталог Виробництво Послуги Новини Вакансії Вхід/авторизація Виробники Контакти Доставка Тех. Підтримка Блог
Каталог

    55 В 2 А (SOT-223)

    55 В 2 А (SOT-223)
    Виробник: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Залишок на складі: 1793 шт.
    Вартість з ПДВ:
    24.13 грн

    pdf

    Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.

    МОП-транзистори IRLL014NTRPBF з індукованим каналом мають напругу 55 В і струм 2 А, входять в серію IRLL014N:

    • одноканальні з електропровідністю n-типу;
    • упаковані в SOT-223 (TO-261AA) - монтаж проводиться на поверхню плати з використанням хвильової, інфрачервоної або парофазної техніки паяння;
    • відповідають вимогам директиви RoHS (моделі з приміткою PbF не містять свинцю).

    Унікальний дизайн корпусу SOT-223 забезпечує простоту автоматичного монтажу, як і в інших корпусів SOT або SOIC, але додатковою перевагою є покращені термальні характеристики завдяки збільшеному тепловідводу. Для типових застосувань можливий рівень розсіювання потужності понад 1 Вт.

    • Канали
      • єдиний, три виводи
      • режим - збагачення
    • Напівпровідникова провідність (полярність) - n-типу
    • Напруга
      • стік-витік - 55 В
      • температурний коефіцієнт (пробою) - 15 мВ/°C
      • затвор-витік - ±16 В і 1/2 В (поріг включення)
      • гранична швидкість наростання на стоку - 7.2 В/нс
      • пряме падіння на діоді - 1 В
    • Струм (макс.)
      • безперервний стоку (при 25/70 °C) та діода - 2/1.6 А та 1.3 А
      • безперервний стоку (на 1'' мідній платі) - 2.8 А
      • імпульсний та переривання - 16 А та 2 А
      • витоку стоку (при 55/44 В) і затвора - 25/250 мкА і ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямої передачі - 2.3
    • Потужність
      • розсіювання (тип./при монтажі на мідну плату площею 1 дюйм) - 1/2.1 Вт
      • лінійний коефіцієнт зниження - 8.3 мВт/°C
    • Енергія імпульсів на стоку (макс.)
      • одиничні - 32 мДж
      • повторювані - 100 мкДж
    • Опір
      • стік-витік відкритого каналу (при 4/5/10 В) - 280/200/140 мОм
      • термальне кристал-довкілля (тип./макс.) - 90/120 °C / Вт
      • термальне кристал-навколишнє середовище (тип. на 1'' мідній платі/макс.) - 50/60 °C / Вт
    • Ємність
      • вхідна/вихідна - 230/66 пкФ
      • реверсна (затвор-сток) - 30 пкФ
    • Заряд (тип./макс.)
      • затвор - 9.5/14 нКл
      • затвор-витік - 1.1/1.7 нКл
      • затвор-стік - 3/4.4 нКл
      • відновлення діода - 73/110 нКл
    • Час
      • затримки включення/вимкнення - 5.1/14 нс
      • наростання/спаду імпульсу - 4.9/2.9 нс
      • зворотного відновлення діода (ном./макс.) - 41/61 нс
    • Температура (робоча та зберігання) - від -55 до +150 °C
    • Розміри
      • довжина - 6.7 мм
      • ширина - 3.7 мм
      • висота - 1.8 мм
    Top